Методом автоэлектронной микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума исследовано изменение работы выхода основных граней монокристалла вольфрама в зависимости от абсолютных концентраций адатомов гольмия при температуре подложки 77 K. Различные предельные значения работ выхода на разных гранях свидетельствуют о важной роли поверхности подложки в процессе формирования и роста адслоев гольмия. В пределе нулевого покрытия определены дипольные моменты адатомов гольмия на всех исследованных гранях вольфрама. Обнаружено влияние температуры формирования адслоя гольмия на работу выхода системы Ho-грани W, приводящее к увеличению эмиссионной способности адсистемы с ростом температуры подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.