Теоретически исследовано поглощение ИК излучения свободными носителями в бесщелевом полупроводнике с "ультрарелятивистскими" зонами. Учтено рассеяние электронов на смешанных плазмон-LO-фононных модах, а также на стехиометрических дефектах решетки. В этих двух случаях вычислена вещественная часть высокочастотной проводимости sigma при T=0 и проанализирована ее частотная зависимость. Из расчета следует, что относительный вклад рассмотренных механизмов рассеяния в Re sigma зависит от энергии поглощаемого фотона. В дальней ИК области доминирует поглощение, обусловленное рассеянием электронов на дефектах, в средней - на верхней, (плазмоноподобной) гибридной моде. Показано, что на частоте этой моды должна возникать пороговая особенность в поглощение света, проявляющаяся в виде излома на кривой зависимости коэффициента поглощения от частоты.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.