Вышедшие номера
Возможности изучения нанообъектов в пористом кремнии и подложках кремния, облученных протонами, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии
Бурцл Р.1, Графутин В.И.2, Илюхина О.В.2, Мясищева Г.Г.2, Прокопьев Е.П.2,3, Тимошенков С.П.3, Фунтиков Ю.В.2
1Европейская комиссия, Исследовательский центр "Институт энергии", Петтен, Нидерланды
2Институт теоретической и экспериментальной физики им. А.И. Алиханова, Москва, Россия
3Московский государственный институт электронной техники, Зеленоград, Москва, Россия
Email: epprokopiev@mail.ru
Поступила в редакцию: 30 июня 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

По методу углового распределения аннигиляционных фотонов определены химический состав среды в месте аннигиляции --- на атомах кремния "стенки" поры, размеры и концентрации нанодефектов в пористом кремнии, а также в монокристаллических пластинах кремния, облученных протонами. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 06-08-00819-a).
  1. С.А. Гаврилов, В.И. Графутин, Л.М. Павлова, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков. Тез. докл. VI конф. по физике высоких энергий, ядерной физике и ускорителям. ННЦ ХФТИ, Харьков (2008). С. 70
  2. В.И. Графутин, Е.П. Прокопьев. УФН 172, 1, 67 (2002)
  3. Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, В.И. Графутин, Г.Г. Мясищева, Ю.В. Фунтиков. Позитроника ионных кристаллов, полупроводников и металлов. МИЭТ, М. (1999). 176 с
  4. В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, В.В. Калугин, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Н.О. Хмелевский, Ю.В. Фунтиков. Микроэлектроника 34, 3, 218 (2005)
  5. А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Физматлит, М. (2005). 415 с
  6. О.М. Бритков, С.А. Гаврилов, В.И. Графутин, В.В. Дягилев, В.В. Калугин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Светлов-Прокопьев, С.П. Тимошенков, Ю.Ф. Фунтиков. Вопр. атом. науки и техники. Сер. Теорет. и прикл. физика (Саров) 3, 40 (2004)
  7. В.И. Графутин, О.В. Илюхина, В.В. Калугин, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, Ю.В. Фунтиков, А.С. Тимошенков, Д.К. Григорьев, С.П. Тимошенков. Физика и химия обраб. материалов 5, 5 (2006)
  8. С.А. Гаврилов, В.И. Графутин, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Е.П. Прокопьев, С.П. Тимошенков, Ю.В. Фунтиков. Письма в ЖЭТФ 81, 11-- 12, 680 (2005)
  9. Y.C. Jean. Microchem. J. 42, 1, 72 (1990)
  10. О.М. Бритков, С.А. Гаврилов, В.И. Графутин, В.В. Калугин, Ал.С. Тимошенков, О.В. Илюхина, Г.Г. Мясищева, Ан.С. Тимошенков, Е.П. Светлов-Прокопьев, С.П. Тимошенков, Д.К. Григорьев, Ю.В. Фунтиков. Петербург. журн. электрон. 3, 15 (2007)
  11. Е.П. Прокопьев. Письма в ЖТФ 16, 24, 6 (1990)
  12. S. Dannefaer. Phys. Status Solidi A 102, 2, 481 (1987)
  13. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. Энергоатомиздат, М. (1991). 1232 с
  14. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 452 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.