Вышедшие номера
Парамагнитные дефекты в нейтронно-облученных кристаллах фенакита
Гусева В.Б.1, Зацепин А.Ф.2, Важенин В.А.1, Артемов М.Ю.1, Кухаренко А.И.2
1Уральский государственный университет, Екатеринбург, Россия
2Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
Email: valentina.guseva@usu.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

Проведены ЭПР-исследования радиационно-разупорядоченных кристаллов фенакита Be2SiO4 (флюенсы быстрых нейтронов (0.75, 1.0, 1.2, 6.6, 8.5)·1018 cm-2). Установлено, что основные радиационные повреждения сосредоточены преимущественно в кремнекислородной подрешетке кристалла. Обнаружены вакансионные центры (E'-центры, g=2.0015), дефекты типа смещенного кислорода и дырочные O--центры. Сигнал парамагнитного поглощения с параметрами gx=2.0218, gy=2.0124, gz=2.0027 идентифицирован как разновидность O--центра - комплекс [SiO4]3-. Интенсивные сигналы ЭПР с параметрами gx=2.0526, gy=2.0020, gz=2.0066 и gx=2.0290, gy=2.0030, gz=2.0099 приписаны двум типам центров молекулярного иона O2- с различным локальным окружением. На основе сравнения данных ЭПР и оптической спектроскопии проведено обсуждение теоретических моделей радиационных центров. Работа выполнена в рамках плана Уральского НОЦ "Перспективные материалы" (award N REC-005, Y4-P-05-01, CRDF) при поддержке РФФИ (грант N 08-02-01072).