Вышедшие номера
Молекулярная эпитаксия пленок GexSi1-x на Si (111): исследование методом дифракции быстрых электронов
Марков В.А.1, Пчеляков О.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Начальные стадии эпитаксии пленок твердого раствора GexSi1-x на поверхности Si(111) экспериментально исследованы в интервале температур подложки 400-900oC и состава пленок x=0.3-1.0 путем анализа осцилляций интенсивности зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов. Во время роста пленок наблюдалось исчезновение осцилляций и падение интенсивности, связанное с достижением критической толщины пленки в момент перехода от двумерно-слоевого роста к трехмерному по механизму Странского-Крастанова. Определена зависимость критической толщины пленок разного состава от температуры и найдены условия прекращения осцилляций. Показана роль поверхностной диффузии в процессе релаксации механических напряжений в пленке, приводящем к самоорганизации квазиупорядоченной системы трехмерных островков.