Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Молекулярная эпитаксия пленок GexSi1-x на Si (111): исследование методом дифракции быстрых электронов
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Начальные стадии эпитаксии пленок твердого раствора GexSi1-x на поверхности Si(111) экспериментально исследованы в интервале температур подложки 400-900oC и состава пленок x=0.3-1.0 путем анализа осцилляций интенсивности зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов. Во время роста пленок наблюдалось исчезновение осцилляций и падение интенсивности, связанное с достижением критической толщины пленки в момент перехода от двумерно-слоевого роста к трехмерному по механизму Странского-Крастанова. Определена зависимость критической толщины пленок разного состава от температуры и найдены условия прекращения осцилляций. Показана роль поверхностной диффузии в процессе релаксации механических напряжений в пленке, приводящем к самоорганизации квазиупорядоченной системы трехмерных островков.
- A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. Phil. Mag. B65, \it 4, 701 (1992)
- A.I. Yakimov, V.A. Markov, A.V. Dvurechenskii, O.P. Pchelyakov. J. Phys.: Cond. Matter 6, 2573 (1994)
- R. People, J.C. Bean. Appl. Phys. Lett. 47, \it 3, 322 (1985)
- J.C. Bean, L.C. Feldman, A. Fiory, S. Nakahara, K. Robinson. J. Vac. Sci. Technol. A2, \it 2, 436 (1984)
- Y. Kohama, Y. Fukuda, M. Seki. Appl. Phys. Lett. 52, \it 5, 380 (1988)
- D.C. Houghton, C.J. Gibbings, C.G. Tuppen, M.H. Lyons, M.G. Halliwell. Thin Solid Films 183, 171 (1989)
- B.A. Joyce, J.H. Neave, J. Zhang, D.D. Vvedensky, S. Clarke, K.J. Hugill, T. Shitara, A.K. Myers-Beaghton. Semicond. Sci. Technol. 5, 1147 (1990)
- K. Miki, K. Sakamoto, T. Sakamoto. Mat. Res. Soc. Proc. 148, 323 (1989)
- S.M. Pintus, S.I. Stenin, A.I. Toropov, E.M. Trukhanov, V.Yu. Karasev. Thin Solid Films 151, \it 2, 275 (1987)
- A.B. Архипенко, Ю.А. Блюмкина, М.А. Ламин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов, С.И. Стенин, Н.И. Козлов, А.А. Крошков, А.В. Ржанов. Поверхность. Физика, химия, механика, \it 5, 93 (1985)
- A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Surf. Sci. 213, 157 (1989)
- P.R. Pukite, J.M. van Hove, P.I. Cohen. Appl. Phys. Lett. 44, 456 (1984)
- П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, П. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов. Мир. М. (1968). 389 с
- J.M. Matthews, D.C. Jackson, A. Chambers. Thin Solid Films 26, 129 (1975)
- A.V. Latyshev, A.L. Aseev, A.B. Krasilnikov, S.I. Stenin. Phys. Stat. Sol. (a) 113, 421 (1989)
- S.Stoyanov. Surf. Sci. 199, 226 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
