Вышедшие номера
Быстрая субмиллиметровая фотопроводимость в двумерном электронном газе на границе гетероперехода GaAs--AlGaAs
Авербух Б.Я.1, Берегулин Е.В.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Ярошецкий И.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Рассмотрена природа и закономерности поведения фотопроводимости (ФП) двумерного электронного газа на границе гетероперехода при высоком уровне возбуждения субмиллиметровым излучением. Обнаружена быстрая отрицательная линейная ФП, обусловленная поглощением света при непрямых переходах. Показано, что ФП связана с разогревом электронного газа. Наблюдаемая поляризационная зависимость ФП связана с наличием непрямых переходов между нулевой и первой подзонами размерного квантования.