Исследование сверхтонких пленок силицида железа, выращенных твердофазной эпитаксией на поверхности Si(001)
Балашев В.В.1,2, Коробцов В.В.1,2, Писаренко Т.А.1,2, Чусовитин Е.А.1, Галкин К.Н.1
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
2Институт физики и информационных технологий Дальневосточного государственного университета, Владивосток, Россия
Email: balashev@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.
Сверхтонкие пленки силицида железа были выращены путем высокотемпературного отжига пленок Fe толщиной от 0.14 до 0.5 nm, осажденных на поверхность кремния с ориентацией (001) при комнатной температуре. Обнаружено, что отжиг приводит к образованию на поверхности нанометровых островков силицида железа, тип которого зависит от толщины пленки Fe. С использованием методов дифракции быстрых электронов и атомно-силовой микроскопии показано, что для пленок Fe толщиной менее 0.32 nm на поверхности Si(001) происходит эпитаксиальный рост как трехмерных островков gamma-FeSi2, так и двумерных beta-FeSi2. Обнаружено, что при покрытиях Fe толщиной более 0.32 nm наблюдается полный переход к твердофазной эпитаксии только двумерных островков beta-FeSi2. Исследовано влияние длительного отжига при 850oC на морфологию поверхности пленки силицида железа. Работа была выполнена при поддержке гранта Дальневосточного отделения Российской академии наук (N 09-III-A-02-023).
- K.M. Geib, J.E. Mahan, R.G. Long, M. Nathan, G. Bai. J. Appl. Phys. 70, 3, 1730 (1991)
- J. Alvarez, J.J. Hinarejos, E.G. Michel, G.R. Castro, R. Miranda. Phys. Rev. B 45, 24, 14 042 (1992)
- K. Konuma, J. Vrijmoeth, P.M. Zagwijn, J.W.M. Frenken, E. Vlieg, J.F. Van der Veen. J. Appl. Phys. 73, 3, 1104 (1993)
- T. Suemasu, T. Fujii, R. Takakura, F. Hasegawa. Thin Solid Films 381, 209 (2001)
- T. Suemasu, M. Takauji, Ch. Li, Y. Ozawa, M. Ichida, F. Hasegawa. Jpn. J. Appl. Phys. 43, 7A, L930 (2004)
- S. Hajjar, G. Garreau, S. Pelletier, P. Bertoncini, P. Wetzel, G. Gewinner, M. Imholf, C. Pirri. Surf. Sci. 532--535, 940 (2003)
- M.V. Gomoyunova, D.E. Malygin, I.I. Pronin, A.S. Voronchikhin, D.V. Vyalikh, S.L. Molodtsov. Surf. Sci. 601, 5069 (2007)
- J. Chrost, J.J. Hinarejos, P. Segova, E.G. Michel, R. Miranda. Surf. Sci. 371, 297 (1997)
- H. Nakano, K. Maetano, K. Hattori, H. Daimon. Surf. Sci. 601, 5088 (2007)
- W. Raunau, H. Niehus, G. Comsa. Surf. Sci. Lett. 284, L375 (1993)
- J. Wu, S. Shimizu. J. Appl. Phys. 80, 1, 559 (1996)
- A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc. 133, 4, 666 (1986)
- N. Minami, D. Makino, T. Matsumura, C. Egawa, T. Sato, K. Ota, S. Ino. Surf. Sci. 514, 211 (2002)
- Р. Хейденрайх. Основы просвечивающей электронной микроскопии. Мир, М. (1966). 471 с
- Y. Homma, Y. Kobayashi, T. Ogino, D. Takagi, R. Ito, Y.J. Jung, P.M. Ajayan. J. Phys. Chem. B 107, 12 161 (2003)
- J.H. Won, K. Sato, M. Ishimaru, Y. Hirotsu. J. Appl. Phys. 100, 014 307 (2006)
- M. Behar, H. Bernas, J. Desimoni, X.W. Lin, R.L. Maltez. J. Appl. Phys. 79, 2, 752 (1996)
- Y. Gao, S.P. Wong, W.Y. Cheung, G. Shao, K.P. Homewood. Appl. Phys. Lett. 83, 4, 638 (2003)
- T. Shirasawa, K. Sekiguchi, Y. Iwasawa, W. Voegeli, T. Takahashi, K. Hattori, A.N. Hattori, H. Daimon, Y. Wakabayashi. e.-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 513 (2009)
- J.E. Mahan, V. Le Thanh, J. Chevrier, I. Berbezier, J. Derrien, R.G. Long. J. Appl. Phys. 74, 1747 (1993)
- Kang-Ho Park, Jeong Sook Ha, Wan Soo Yun. Surf. Sci. 492, 34 (2001)
- G. Molnar, L. Dozsa, G. Peto, Z. Vertesy, A.A. Koos, Z.E. Horvarth, E. Zsoldos. Thin Solid Films 459, 48 (2004)
- Y. Maeda, H. Udono, Y. Terai. Thin Solid Films 461, 165 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.