Образование примесных выделений в CdTe, легированном индием, после отжига и облучения ионами и электронами
Логинов Ю.Ю.1, Браун П.Д.1
1Красноярский государственный университет,, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 12 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.
Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, а также локального рентгеновского микроанализа исследовано образование примесных преципитатов в CdTe, легированном In, после термоотжига и облучения ионами I+ и электронами. Обнаружено, что преципитаты содержат In и представляют собой по данным анализа муарового контраста соединения In2Te3 и InTe (или In3Te4) в отожженных образцах и InTe в облученных образцах.
- Wald F.V. Rev. Phys. Appl. 12, 2, 277 (1977)
- Morris G.C., Das S.K., Tanner P.G. J. Cryst. Growth. \bf 117, 929 (1992)
- Seto S., Tanaka A., Masa Y., Kawashima M. J. Cryst. Growth. \bf 117, 271 (1992)
- Иванов Ю.М., Павлова Г.С., Канунова Е.Л. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы \bf 24, \it 12, 1956 (1988)
- Kowalczyk J.J. Cryst. Growth. \bf 72, \it 1-2, 389 (1985)
- Brown P.D., Loginov Y.Y., Mullins J.T., Durose K., Brinkman A.W., Humphreys C.J. J. Cryst. Growth. \bf 138, 538 (1994)
- Физика и химия соединений A_2B_6 / Под ред. С.А.Медведева. М. (1970). 624 с
- Marfaing Y. Rev. Phys. Appl. 12, 2, 211 (1977)
- Loginov Y.Y., Brown P.D., Durose K., Thompson N., Alnajjar A.A., Brinkman A.W., Woods J. J. Cryst. Growth. \bf 117, 259 (1992)
- Loginov Y.Y., Brown P.D., Thompson N. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 126, 63 (1991)
- Loginov Y.Y., Brown P.D. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 132, 323 (1992)
- Байдулаева А., Даулетмуратов Б.К., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. ФТП \bf 27, \it 1, 56 (1993)
- Двуреченский А.В., Ремесник В.Г., Рязанцев И.А., Талипов Н.Х. ФТП \bf 27, \it 1, 168 (1993)
- Belas E., Hoschl P., Grill R., Franc J., Moravec P., Lischka K., Sitter H., Toth A. J. Cryst. Growth. \bf 138, 940 (1994)
- Hastings M.P., Maxey C.D., Matthews B.E., Metcalfe N.E., Capper P., Jones C.L., Gable I.G. J. Cryst. Growth. \bf 138, 917 (1994)
- Barbot J.F., Kronewitz J., Schroter W. Appl. Phys. Lett. \bf 57, \it 25, 2689 (1990)
- Russel G.J., Woods J. J. Cryst. Growth. \bf 47, 647 (1979)
- Cullis A.G., Chew N.G., Hutchison J.L. Ultramicroscopy \bf 17, 203 (1985)
- Nes E., Washburn J. J. Appl. Phys. \bf 42, \it 9, 3562 (1971)
- Логинов Ю.Ю., Бусыгин В.М. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы \bf 18, \it 5, 709 (1982)
- Sorokin L.M., Mosina G.N. Microscopy of Semicond. Materials Bristol, Oxford (1991). N 117. P. 227--230
- Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уилан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М. (1967). 574 с
- Selected powder diffraction data for metals and alloys. Data book. Swarthmore, Pennsylvania: JCPDS (1978). V. 1, 2. 1929 p
- Shaw D.J. J. Cryst. Growth. 86, 778 (1988)
- Иванов Ю.М., Павлова Г.С., Канунова Е.Л. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы \bf 24, \it 12, 1959 (1988)
- Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в твердых телах. М. (1979). С. 9--152
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук