Вышедшие номера
Образование примесных выделений в CdTe, легированном индием, после отжига и облучения ионами и электронами
Логинов Ю.Ю.1, Браун П.Д.1
1Красноярский государственный университет,, Красноярск, Россия
Поступила в редакцию: 12 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1995 г.

Методами просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, а также локального рентгеновского микроанализа исследовано образование примесных преципитатов в CdTe, легированном In, после термоотжига и облучения ионами I+ и электронами. Обнаружено, что преципитаты содержат In и представляют собой по данным анализа муарового контраста соединения In2Te3 и InTe (или In3Te4) в отожженных образцах и InTe в облученных образцах.
  1. Wald F.V. Rev. Phys. Appl. 12, 2, 277 (1977)
  2. Morris G.C., Das S.K., Tanner P.G. J. Cryst. Growth. \bf 117, 929 (1992)
  3. Seto S., Tanaka A., Masa Y., Kawashima M. J. Cryst. Growth. \bf 117, 271 (1992)
  4. Иванов Ю.М., Павлова Г.С., Канунова Е.Л. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы \bf 24, \it 12, 1956 (1988)
  5. Kowalczyk J.J. Cryst. Growth. \bf 72, \it 1-2, 389 (1985)
  6. Brown P.D., Loginov Y.Y., Mullins J.T., Durose K., Brinkman A.W., Humphreys C.J. J. Cryst. Growth. \bf 138, 538 (1994)
  7. Физика и химия соединений A_2B_6 / Под ред. С.А.Медведева. М. (1970). 624 с
  8. Marfaing Y. Rev. Phys. Appl. 12, 2, 211 (1977)
  9. Loginov Y.Y., Brown P.D., Durose K., Thompson N., Alnajjar A.A., Brinkman A.W., Woods J. J. Cryst. Growth. \bf 117, 259 (1992)
  10. Loginov Y.Y., Brown P.D., Thompson N. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 126, 63 (1991)
  11. Loginov Y.Y., Brown P.D. Phys. Stat. Sol. (a) \bf 132, 323 (1992)
  12. Байдулаева А., Даулетмуратов Б.К., Власенко А.И., Гнатюк В.А., Мозоль П.Е. ФТП \bf 27, \it 1, 56 (1993)
  13. Двуреченский А.В., Ремесник В.Г., Рязанцев И.А., Талипов Н.Х. ФТП \bf 27, \it 1, 168 (1993)
  14. Belas E., Hoschl P., Grill R., Franc J., Moravec P., Lischka K., Sitter H., Toth A. J. Cryst. Growth. \bf 138, 940 (1994)
  15. Hastings M.P., Maxey C.D., Matthews B.E., Metcalfe N.E., Capper P., Jones C.L., Gable I.G. J. Cryst. Growth. \bf 138, 917 (1994)
  16. Barbot J.F., Kronewitz J., Schroter W. Appl. Phys. Lett. \bf 57, \it 25, 2689 (1990)
  17. Russel G.J., Woods J. J. Cryst. Growth. \bf 47, 647 (1979)
  18. Cullis A.G., Chew N.G., Hutchison J.L. Ultramicroscopy \bf 17, 203 (1985)
  19. Nes E., Washburn J. J. Appl. Phys. \bf 42, \it 9, 3562 (1971)
  20. Логинов Ю.Ю., Бусыгин В.М. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы \bf 18, \it 5, 709 (1982)
  21. Sorokin L.M., Mosina G.N. Microscopy of Semicond. Materials Bristol, Oxford (1991). N 117. P. 227--230
  22. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уилан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М. (1967). 574 с
  23. Selected powder diffraction data for metals and alloys. Data book. Swarthmore, Pennsylvania: JCPDS (1978). V. 1, 2. 1929 p
  24. Shaw D.J. J. Cryst. Growth. 86, 778 (1988)
  25. Иванов Ю.М., Павлова Г.С., Канунова Е.Л. Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы \bf 24, \it 12, 1959 (1988)
  26. Корбетт Дж., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в твердых телах. М. (1979). С. 9--152

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.