Издателям
Вышедшие номера
Примесь Андерсона в симметричном инверсном полупроводниковом гетероконтакте
Канцер В.Г.1, Малкова Н.М.1
1Международная лаборатория высокотемпературной сверхпроводимости и твердотельной электроники Академии наук Молдавии,, Кишенев, Молдавия
Поступила в редакцию: 27 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Предложено обобщение модели Андерсона для примеси в симметричном инверсном гетероконтакте, рассматриваемом в рамках эффективной модели Дирака. Показано, что благодаря взаимодействию с состояниями гетероперехода андерсоновская примесь вне зависимости от положения ее затравочного уровня формирует внутри запрещенной зоны исходных полупроводников уровень, энергетическое положение которого зависит от положения атома примеси относительно плоскости интерфейса.
  1. Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. Les Editiones de Physique (1988). 357 p
  2. Yia-Chang C, Schulman J.N., Bastard G., Gulman Y., Voos M. Phys. Rev. \bf B \bf 31, \it 4, 2557 (1985)
  3. Cade N.A. J. Phys. C. 18, 5135 (1985)
  4. Волков Б.А., Панкратов О.А. Письма в ЖЭТФ \bf 42, \it 6, 145 (1985)
  5. Тиходеев С.Г. ЖЭТФ 99, 6, 1871 (1991)
  6. Кисин М.В. ФТП 23, 2, 292 (1989)
  7. Канцер В.Г., Малкова Н.М. Письма в ЖЭТФ \bf 54, \it 7, 388 (1991)
  8. Герчиков Л.Г., Рожков Г.В., Субашиев А.В. ЖЭТФ \bf 101, \it 1, 143 (1992)
  9. Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. ФТП \bf 26, \it 2, 201 (1992)
  10. Цидильковский И.М., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках. Свердловск: (1987). 152 c
  11. Anderson P.W. Phys. Rev. 124, 1, 41 (1961)
  12. Идлис Б.Г., Усманов М.Ш. ФТП \bf 26, \it 2, 329 (1992)
  13. Harigaya K. J. Phys.: Cond. Matter 3, 4841 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.