Примесь Андерсона в симметричном инверсном полупроводниковом гетероконтакте
Канцер В.Г.1, Малкова Н.М.1
1Международная лаборатория высокотемпературной сверхпроводимости и твердотельной электроники Академии наук Молдавии,, Кишенев, Молдавия
Поступила в редакцию: 27 июля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Предложено обобщение модели Андерсона для примеси в симметричном инверсном гетероконтакте, рассматриваемом в рамках эффективной модели Дирака. Показано, что благодаря взаимодействию с состояниями гетероперехода андерсоновская примесь вне зависимости от положения ее затравочного уровня формирует внутри запрещенной зоны исходных полупроводников уровень, энергетическое положение которого зависит от положения атома примеси относительно плоскости интерфейса.
- Bastard G. Wave mechanics applied to semiconductor heterostructures. Les Editiones de Physique (1988). 357 p
- Yia-Chang C, Schulman J.N., Bastard G., Gulman Y., Voos M. Phys. Rev. \bf B \bf 31, \it 4, 2557 (1985)
- Cade N.A. J. Phys. C. 18, 5135 (1985)
- Волков Б.А., Панкратов О.А. Письма в ЖЭТФ \bf 42, \it 6, 145 (1985)
- Тиходеев С.Г. ЖЭТФ 99, 6, 1871 (1991)
- Кисин М.В. ФТП 23, 2, 292 (1989)
- Канцер В.Г., Малкова Н.М. Письма в ЖЭТФ \bf 54, \it 7, 388 (1991)
- Герчиков Л.Г., Рожков Г.В., Субашиев А.В. ЖЭТФ \bf 101, \it 1, 143 (1992)
- Кайданов В.И., Немов С.А., Равич Ю.И. ФТП \bf 26, \it 2, 201 (1992)
- Цидильковский И.М., Харус Г.И., Шелушинина Н.Г. Примесные состояния и явления переноса в бесщелевых полупроводниках. Свердловск: (1987). 152 c
- Anderson P.W. Phys. Rev. 124, 1, 41 (1961)
- Идлис Б.Г., Усманов М.Ш. ФТП \bf 26, \it 2, 329 (1992)
- Harigaya K. J. Phys.: Cond. Matter 3, 4841 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук