Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О поверхностных донорных состояниях, наведенных металлическими атомами, адсорбированными на широкозонных полупроводниках
Давыдов С.Ю.1, Тихонов С.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 1 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Для объяснения формирования барьера Шоттки на контакте металл-широкозонный полупроводник использована модель наведенных адатомами поверхностных состояний. Для этих целей в приближении сильной связи в рамках модели поверхностной молекулы рассчитано положение локальных уровней, наведенных металлическими атомами I и III групп, адсорбированными на поверхности алмаза, карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия. Результаты расчета для адсорбционной связи металл-Si удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными по высоте барьера Шоттки на контакте металл-6H-SiC. Теоретически предсказана зависимость высоты барьера от ионности полупроводника.
- Silicon Carbide and Related Materials. Proc. of the 5th Conf. / Ed. M.G.Spencer. Institute of Phys. Conf. Ser. N 137. Bristol and Philadelphia (1993)
- Elores F., Tejedor C. J. Phys. C: Solid State Phys. \bf20, \it2, 145 (1987)
- Monch W. Rep. Prog. Phys. 53, 3, 221 (1990)
- Williams R.H. Surf. Sci. 251/252, 1--3, 12 (1991)
- Monch W. Europhys. Lett. 7, 3, 275 (1988)
- Kleipis J.E., Harrison W.A. Phys. Rev. \bf B 40, \it8, 5810 (1989)
- Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. М. (1983). Т. 1. 381 с
- Harrison W.A. Phys. Rev. B 24, 10, 5835 (1981)
- Harrison W.A. Phys. Rev. B 27, 6, 3592 (1983)
- Физические величины. Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. М. (1991). 1232 с
- Chadi D.J., Cohen M.L. Phys. Stat. Sol. (b) \bf68, \it1, 405 (1975)
- Harrison W.A. Phys. Rev. B 31, 4, 2121 (1985)
- Herman F., Van Dyke J.P., Kortum R.L. Im: Silicon Carbide-1968. Proc. Intern. Conf. on Silicon Carbide. Mat. Res. Bull. \bf4, 167 (1969). \bf(см. перевод в сб. Карбид кремния / Под ред. Г.Хелиша и П.Роя. М. (1972). С. 153\bf)
- Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М. (1978). 682 с
- Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев (1987). 607 с
- Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М. (1978). 792 с
- Waldrop J.R., Graut R.W., Wang J.C., Davis R.F. J. Appl. Phys. \bf72, \it10, 4757 (1992)
- Waldrop J.R., Graut R.W. Appl. Phys. Lett. \bf62, \it21, 2685 (1993)
- Waldrop J.R. J. Appl. Phys. 75, 9, 4558 (1994)
- Ikeda M., Matsunami H., Tanaka I. Phys. Rev. \bf B 22, \it6, 2842 (1980)
- Harrison W.A. Phys. Rev. B 8, 10, 4487 (1973)
- Haldane F.D.M., Anderson P.W. Phys. Rev. \bf B 13, \it6, 2553 (1976)
- Harrison W.A., Kleipis J.E. Phys. Rev. \bf B 37, \it2, 864 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
