Издателям
Вышедшие номера
О поверхностных донорных состояниях, наведенных металлическими атомами, адсорбированными на широкозонных полупроводниках
Давыдов С.Ю.1, Тихонов С.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Для объяснения формирования барьера Шоттки на контакте металл--широкозонный полупроводник использована модель наведенных адатомами поверхностных состояний. Для этих целей в приближении сильной связи в рамках модели поверхностной молекулы рассчитано положение локальных уровней, наведенных металлическими атомами I и III групп, адсорбированными на поверхности алмаза, карбида кремния и нитридов бора, алюминия и галлия. Результаты расчета для адсорбционной связи металл--Si удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными по высоте барьера Шоттки на контакте металл--6H-SiC. Теоретически предсказана зависимость высоты барьера от ионности полупроводника.
  1. Silicon Carbide and Related Materials. Proc. of the 5th Conf. / Ed. M.G.Spencer. Institute of Phys. Conf. Ser. N 137. Bristol and Philadelphia (1993)
  2. Elores F., Tejedor C. J. Phys. C: Solid State Phys. \bf20, \it2, 145 (1987)
  3. Monch W. Rep. Prog. Phys. 53, 3, 221 (1990)
  4. Williams R.H. Surf. Sci. 251/252, 1--3, 12 (1991)
  5. Monch W. Europhys. Lett. 7, 3, 275 (1988)
  6. Kleipis J.E., Harrison W.A. Phys. Rev. \bf B 40, \it8, 5810 (1989)
  7. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. М. (1983). Т. 1. 381 с
  8. Harrison W.A. Phys. Rev. B 24, 10, 5835 (1981)
  9. Harrison W.A. Phys. Rev. B 27, 6, 3592 (1983)
  10. Физические величины. Справочник / Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. М. (1991). 1232 с
  11. Chadi D.J., Cohen M.L. Phys. Stat. Sol. (b) \bf68, \it1, 405 (1975)
  12. Harrison W.A. Phys. Rev. B 31, 4, 2121 (1985)
  13. Herman F., Van Dyke J.P., Kortum R.L. Im: Silicon Carbide-1968. Proc. Intern. Conf. on Silicon Carbide. Mat. Res. Bull. \bf4, 167 (1969). \bf(см. перевод в сб. Карбид кремния / Под ред. Г.Хелиша и П.Роя. М. (1972). С. 153\bf)
  14. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел. М. (1978). 682 с
  15. Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев (1987). 607 с
  16. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М. (1978). 792 с
  17. Waldrop J.R., Graut R.W., Wang J.C., Davis R.F. J. Appl. Phys. \bf72, \it10, 4757 (1992)
  18. Waldrop J.R., Graut R.W. Appl. Phys. Lett. \bf62, \it21, 2685 (1993)
  19. Waldrop J.R. J. Appl. Phys. 75, 9, 4558 (1994)
  20. Ikeda M., Matsunami H., Tanaka I. Phys. Rev. \bf B 22, \it6, 2842 (1980)
  21. Harrison W.A. Phys. Rev. B 8, 10, 4487 (1973)
  22. Haldane F.D.M., Anderson P.W. Phys. Rev. \bf B 13, \it6, 2553 (1976)
  23. Harrison W.A., Kleipis J.E. Phys. Rev. \bf B 37, \it2, 864 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.