Вышедшие номера
Перетекание электронов между эллипсоидами в магнитном поле в области квантового предела в сплавах n-Bi-Sb
Редько Н.А.1,2, Каган В.Д.1, Волков М.П.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2International Laboratory of High Magnetic Fields and Low Temperatures, Wroclaw, Poland
Email: nikolaj.a.redko@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 мая 2009 г.
Выставление онлайн: 20 января 2010 г.

Проведены измерения магнетосопротивлений rho22(H), rho32(H) и коэффициента Холла R32.1 на монокристаллических образцах полупроводникового сплава Bi0.93Sb0.07 при низких температурах в магнитном поле до H=14 T при H|| C2. Исследованы образцы с тремя концентрациями электронов n1=1.25·1016 cm-3, n2=3.5·1016 cm-3, n3=1.6·1017 cm-3. Сильная анизотропия электронного спектра сплавов позволила наблюдать квантовые осцилляции магнетосопротивления rho22(H) при H|| C2 для электронов побочных эллипсоидов с переходом в квантовый предел в больших магнитных полях. В то же время в этих магнитных полях условие квантования для электронов главного эллипсоида не выполнялось. Рост энергии электронов побочных эллипсоидов в магнитных полях квантового предела приводил к перетеканию их в главный эллипсоид. После полного перетекания в образцах сплава с концентрациями n1, n2 и n3 энергия Ферми увеличилась с 7 до 11.3, с 11 до 17.1, с 20.2 до 30.6 meV соответственно. После перетекания для электронов главного эллипсоида магнетосопротивление увеличивается с ростом магнитного поля и вблизи H=10 T наблюдаются особенности в поведении кинетических коэффициентов. Таким образом, при H|| C2 в монокристаллах Bi0.93Sb0.07 при низких температурах в области магнитных полей квантового предела наблюдается электронный топологический переход от трехдолинного электронного спектра к однодолинному. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке гранта ведущих научных школ РФ N НШ-2184.2008.2 и гранта Президиума РАН.
  1. G. Oelgart, R. Herrmann. Phys. Status Solidi B 58, 181 (1973)
  2. В.Д. Каган, Н.А. Редько, Н.А. Родионов, В.И. Польшин. ЖЭТФ 122, 377 (2002)
  3. Н.Б. Брандт, В.А. Кульбачинский, Н.Я. Минина. Письма в ЖЭТФ 26, 637 (1977)
  4. Н.Б. Брандт, С.М. Чудинов. УФН 137, 479 (1982)
  5. Л.А. Киракозова, Н.Я. Минина, А.В. Савин. Письма в ЖЭТФ 52, 693 (1990)
  6. К.И. Гейман, И.А. Драбкин, А.В. Матвиенко, Е.А. Можаев, Р.В. Парфеньев. ФТП 11, 846 (1977)
  7. Б.А. Аскеров. Кинетические эффекты в полупроводниках. Наука, Л. (1970). 303 с
  8. Н.Б. Брандт, С.М. Чудинов. Электронная структура металлов. Изд-во МГУ, М. (1973). 332 с
  9. Н.А. Редько, В.Д. Каган. ФТТ 50, 385 (2008)
  10. Б.А. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. Наука, М. (1985). 318 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.