Вышедшие номера
Структурный резонанс прохождения электроном межкристаллической границы
Брагинский Л.С.1, Романов Д.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.

Исследовано прохождение носителей заряда через границу двух метериалов с существенно различной кристаллической структурой. В рамках одномерной модели сильной связи получены условия сшивки огибающих волновых функций. В общем случае эти условия оказываются нелокальными. Показано, что прозрачность границы резонансным образом зависит от определенной комбинации параметров, характеризующих саму границу и граничащие кристаллы. Наличие на границе атома-примеси может приводить к увеличению прозрачности.
  1. Baskin E.M., Braginskii L.S. Phys. Rev. B, in press
  2. Ando T., Wakahara S., Akera H. Phys. Rev. \bf B40, 11609 (1989)
  3. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М. (1978). С. 615
  4. Qi-Gao Zhu, Herbert Kroemer. Phys. Rev. \bf B27, 3519 (1983)
  5. Lu S.S., Natan M.I. J. Appl. Phys. 60, 525 (1991)
  6. Чаплик А.В., Энтин М.В. ЖЭТФ 67, 208 (1974)
  7. Мусатов А.Л., Коротких В.Л., Шадрин В.Д. ФТТ \bf 23, \it 3, 929 (1981); Нолле Е.Л. ФТТ \bf 31, \it 11, 225 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.