Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2010, выпуск 1 » Статья стр. 148
<<<>>>
Калориметрические и диэлектрические исследования оксифторида (NH4)2MoO2F4
Фокина В.Д.1,2, Богданов Е.В.1, Погорельцев Е.И.2, Бондарев В.С.1,2, Флёров И.Н.1,2, Лапташ Н.М.3
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
2Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
3Институт химии Дальневосточного отделения РАН, Владивосток, Россия
Email: fokina@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 2 апреля 2009 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2009 г.
PDF версия
Выполнены исследования температурных зависимостей теплоемкости, диэлектрических свойств и восприимчивости к внешнему давлению и электрическому полю оксифторида (NH4)2MoO2F4 (пр. гр. Cmcm, Z=4). На основе сравнительного анализа данных об энтропии фазовых переходов, фазовых T-p-диаграммах, диэлектрической проницаемости и поведении аномальной теплоемкости совместно с результатами проведенных ранее исследований родственных (NH4)2WO2F4 и (ND4)2WO2F4 установлена существенная роль как анионов [MO2F4]2-, так и аммонийных групп в механизме и природе структурных превращений. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 09-02-00062).
  1. M. Vlasse, J.-M. Moutou, M. Cervera-Marzal, J.-P. Chaminade, P. Hagenmuller. Rev. Chim. Miner. 19, 58 (1982)
  2. Г.З. Пинскер, В.Г. Кузнецов. Кристаллография 13, 1, 74 (1968)
  3. В.Г. Сергиенко, М.А. Порай-Кошиц, Т.С. Ходашова. ЖСХ 13, 3, 461 (1972)
  4. A.M. Srivastava, J.F. Ackerman. J. Solid State Chem. 98, 144 (1992)
  5. A.A. Udovenko, N.M. Laptash. Acta Cryst. B 64, 645 (2008)
  6. K.R. Heier, A.J. Norquist, P.S. Halasyamani, A. Duarte, C.L. Stern, K.R. Poeppelmeier. Inorg. Chem. 38, 762 (1999)
  7. K.R. Heier, A.J. Norquist, C.G. Wilson, C.L. Stern, K.R. Poeppelmeier. Inorg. Chem. 37, 76 (1998)
  8. С.В. Мельникова, В.Д. Фокина, Н.М. Лапташ. ФТТ 48, 1, 110 (2006)
  9. И.Н. Флёров, В.Д. Фокина, М.В. Горев, А.Д. Васильев, А.Ф. Бовина, М.С. Молокеев, А.Г. Кочарова, Н.М. Лапташ. ФТТ 48, 4, 711 (2006)
  10. И.Н. Флёров, В.Д. Фокина, А.Ф. Бовина, Е.В. Богданов, М.С. Молокеев, А.Г. Кочарова, Е.И. Погорельцев, Н.М. Лапташ. ФТТ 50, 3, 497 (2008)
  11. И.Н. Флёров, В.Д. Фокина, М.В. Горев, Е.В. Богданов, М.С. Молокеев, А.Ф. Бовина, А.Г. Кочарова. ФТТ 49, 6, 1093 (2007)
  12. С.В. Мельникова, Н.М. Лапташ. ФТТ 50, 3, 493 (2008)
  13. С.В. Мельникова, А.Д. Васильев, Н.М. Лапташ. Тр. симп. ODPO-10. Издат.-печ. отд. Политехн. ин-та ЮФУ, Ростов н/Д (2007). Ч. II. С. 172
  14. М.В. Горев, И.Н. Флёров, А. Трессо, Д. Деню, А.И. Зайцев, В.Д. Фокина. ФТТ 44, 10, 1864 (2002)
  15. A.D. Vasiliev, N.M. Laptash. Proc. of ISIF-2008. Vladivostok, Russia (2008). P. 187
  16. J. Ravez, G. Peraudeau, H. Arend, S.C. Abrahams, P. Hagenmuller. Ferroelectrics 26, 767 (1980)
  17. И.Н. Флёров, М.В. Горев, В.Д. Фокина, А.Ф. Бовина, Н.М. Лапташ. ФТТ 46, 5, 888 (2004)
  18. Б.А. Струков, М.А. Коржуев, А. Баддур, В.А. Копцик. ФТТ 13, 1872 (1971)
  19. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1983). 240 с
  20. В. Кенциг. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. ИЛ, М. (1960). 234 с
  21. Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
  22. К.С. Александров, И.Н. Флёров. ФТТ 21, 2, 327 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme