Исследовано влияние примесей Cu, Au, Be, Zn, Ga, In, Pb, P, Sb, Se, Te и Pt на процессы роста и электрические свойства кристаллов SnS₂. Установлено, что легирование этими примесями не влияет существенно на политипный состав получаемых кристаллов, которые представлены в основном политипами 2H и 4H или их сростками. Ни одна из исследованных примесей не дала инверсии знака проводимости, все выращенные кристаллы были n-типа, как и чистый, нелегированный SnS₂. В то же время величина удельного сопротивления кристаллов сильно зависела от сорта легирующей примеси и менялась от 10¹⁰ Omega· cm для Au, Be, Zn и In до 10² Omega· cm для P и Sb. Это означает, что первая группа примесей может иметь акцепторный характер, а вторая - донорный. Невозможность получения инверсии знака проводимости связана скорее всего с низким пределом растворимости этих примесей в SnS₂, обусловленным образованием вакансий, снижающих устойчивость структуры, при введении в катионную подрешетку SnS₂ иновалентных примесей. С целью компенсации заряда в решетке и увеличения растворимости примеси проводилось легирование двумя примесями, суммарный заряд которых равен заряду катиона. В результате одновременного легирования In и Cu в процессе роста нам удалось впервые получить крупные и совершенные по структуре кристаллы SnS₂ с проводимостью p-типа.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.