Вышедшие номера
Рост и легирование кристаллов SnS 2
Голубков А.В.1, Дубровский Г.В.1, Прокофьев А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

Исследовано влияние примесей Cu, Au, Be, Zn, Ga, In, Pb, P, Sb, Se, Te и Pt на процессы роста и электрические свойства кристаллов SnS2. Установлено, что легирование этими примесями не влияет существенно на политипный состав получаемых кристаллов, которые представлены в основном политипами 2H и 4H или их сростками. Ни одна из исследованных примесей не дала инверсии знака проводимости, все выращенные кристаллы были n-типа, как и чистый, нелегированный SnS2. В то же время величина удельного сопротивления кристаллов сильно зависела от сорта легирующей примеси и менялась от 1010 Omega· cm для Au, Be, Zn и In до 102 Omega· cm для P и Sb. Это означает, что первая группа примесей может иметь акцепторный характер, а вторая - донорный. Невозможность получения инверсии знака проводимости связана скорее всего с низким пределом растворимости этих примесей в SnS2, обусловленным образованием вакансий, снижающих устойчивость структуры, при введении в катионную подрешетку SnS2 иновалентных примесей. С целью компенсации заряда в решетке и увеличения растворимости примеси проводилось легирование двумя примесями, суммарный заряд которых равен заряду катиона. В результате одновременного легирования In и Cu в процессе роста нам удалось впервые получить крупные и совершенные по структуре кристаллы SnS2 с проводимостью p-типа.