Издателям
Вышедшие номера
Выращивание пленок твердого раствора (GaAs)1-x(ZnSe)x и исследование их структурных и некоторых фотоэлектрических свойств
Саидов А.С.1, Саидов М.С.1, Усмонов Ш.Н.1, Лейдерман А.Ю.1, Каланов М.У.2, Гаимназаров К.Г.3, Курмантаев А.Н.4
1Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
3Гулистанский государственный университет, Гулистан, Узбекистан
4Международный казахско-турецкий университет им. Х.А. Ясави, Туркистан, Казахстан
Email: amin@uzsci.net
Поступила в редакцию: 10 февраля 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Выращены монокристаллические пленки твердого раствора замещения (GaAs)1-x(ZnSe)x (0=<q x=<q0.80) на подложках GaAs методом жидкофазной эпитаксии. Исследованы рентгенограммы, фотолюминесценции и вольт-амперные характеристики полученных структур n-GaAs--p-(GaAs)1-x(ZnSe)x (0=<q x=<q0.80). Получены значения параметров решетки пленки af=5.6544 Angstrem и подложки as=5.6465 Angstrem, а также профиль распределения молекул компонентов твердого раствора. В спектре фотолюминесценции пленок (GaAs)1-x(ZnSe)x (0=<q x=<q0.80) на фоне широкого спектра излучения обнаружен узкий пик с максимумом интенсивности излучения при энергиях фотонов, равных 2.67 eV, обусловленный связями Zn--Se (ZnSe находится в ковалентной связи с тетраэдрической решеткой матрицы GaAs). Показано, что прямая ветвь вольт-амперных характеристик исследованных структур при малых напряжениях (до 0.3 V) описывается экспоненциальной зависимостью I=I0exp(qV/ckT), а при больших (V>0.3 V) --- степенной зависимостью I~ Valpha со значениями alpha=4 при V=0.4-0.8 V, alpha=2 при V=0.8-1.4 V и alpha=1.5 при V>2 V. Экспериментальные результаты объясняются на основе модели двойной инжекции для n-p-p+-структуры при условии существования минимума в распределении концентрации неравновесных носителей. Работа выполнена в рамках грантов ФА-Ф2-Ф030+Ф096, ФА-А15-Ф074, ФА-Ф2-Ф068 программы фундаментальных исследований ККРНТ РУз.
  1. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП 20, 12, 2217 (1986)
  2. G. Bougnot, F. De Lannoy. J. Electrochem. Soc. 135, 783 (1988)
  3. A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev. 16, 3, 38 (1996)
  4. В.М. Калыгина, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП 43, 7, 975 (2009)
  5. С.П. Козырев. ФТП 43, 7, 943 (2009)
  6. М.С. Саидов. Гелиотехника 5, 48 (1997)
  7. М.С. Саидов. Гелиотехника 3, 52 (1999)
  8. А.С. Саидов, А.Ш. Раззаков, К.Г. Гаимназаров. Письма в ЖТФ 27, 22, 86 (2001)
  9. A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, V.A. Risaeva, E.A. Koschanov. Mater. Chem. Phys. 68, 3 (2001)
  10. В.М. Андреев, Л.М. Долгинов, Д.Н. Третьяков. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. Сов. радио, М. (1975). 328 с
  11. М. Хансен, К. Андерко. Структуры двойных сплавов. Металлургия, М. (1962). Т. II. 1488 с. [M. Hansen, K. Anderko. Constitution of binary alloys. Toronto--London--N.Y. (1958). V. II]
  12. А.С. Саидов, М.С. Саидов, Э.А. Кошчанов. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе. Фан, Ташкент (1986). 127 с
  13. А.А. Русаков. Рентгенография металлов. Атомиздат, М. (1977). 480 с
  14. Т.И. Красовицкая. Электронные структуры атомов и химическая связь. Просвещение, М. (1980). 224 с
  15. С.С. Горелик, Л.Н. Росторгуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электронографический анализ. Металлургия, М. (1970). 366 с
  16. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции и полупроводниках. Сов. радио, М. (1978). 320 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.