Издателям
Вышедшие номера
Напряженные пленки Ge в гетероструктуре Ge/InGaAs/GaAs: образование краевых дислокаций несоответствия на границе Ge/InGaAs
Болховитянов Ю.Б.1, Василенко А.П.1, Гутаковский А.К.1, Дерябин А.С.1, Путято М.А.1, Соколов Л.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bolkhov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 января 2011 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены гетероструктуры типа напряженная пленка Ge на искуственной подложке InGaAs/GaAs. Особенность таких гетероструктур связана с тем, что пластически релаксированный (буферный) слой InGaAs имеет плотность пронизывающих дислокаций в районе 105-106 cm-2. Эти дислокации, проникая в напряженный слой Ge, становятся источниками как 60o, так и 90o (краевых) дислокаций несоответствия (ДН). С помощью просвечивающей электронной микроскопии в границе раздела Ge/InGaAs обнаружены оба типа ДН. Показано, что наличие в растянутой пленке Ge пронизывающих дислокаций, наследуемых из буферного слоя, способствует образованию краевых дислокаций в границе раздела Ge/InGaAs даже в случае малой величины упругих деформаций в напряженной пленке. Рассмотрены механизмы образования краевых ДН, включающие случайную встречу комплементарных 60o ДН, распространяющихся параллельно в зеркально отклоненных плоскостях 111; наведенное зарождение второй 60o ДН и ее взаимодействие с первичной 60o ДН; взаимодействие двух комплементарных ДН после поперечного скольжения одной из них. С помощью расчета показано, что критическая толщина hc для появления краевых ДН существенно меньше, чем hc для 60o ДН.
  1. M.V. Fischetti, S.E. Laux. J. Appl. Phys. 80, 2234 (1996)
  2. Y. Bai, K.E. Lee, C. Cheng, M.L. Lee, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys. 104, 084 518 (2008)
  3. J.W. Matthews. Phil. Mag. 13, 1207 (1966)
  4. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth 27, 118 (1974)
  5. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Appl. Phys. Lett. 92, 131 901 (2008)
  6. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
  7. Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 50, 1783 (2008)
  8. R. Hull, J.C. Bean. J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2580 (1989)
  9. S.A. Dregia, J.P. Hirsh. J. Appl. Phys. 69, 2169 (1991)
  10. S.H. Huang, G. Balakrishnan, A. Khoshakhlagh, A. Jallipalli, L.R. Dawson, D.L. Huffaker. Appl. Phys. Lett. 88, 131 911 (2006)
  11. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Derybin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth. 312, 3080 (2010)
  12. Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 53, 9, 0000(2011)
  13. S. Mader, A.E. Blakeslee, J. Angilello. J. Appl. Phys. 45, 4730 (1974)
  14. E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
  15. J. Narayan, S. Oktyabrsky. J. Appl. Phys. 92, 7122 (2002)
  16. V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)
  17. E.A. Fitzgerald, D.G. Ast. J. Appl. Phys. 63, 693 (1988)
  18. K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1983)
  19. V.Yu. Karasev, N.A. Kiselev, E.V. Orlova, M.A. Gribelyuk, A.K. Gutakovsky, Yu.O. Kanter, S.M. Pintus, S.V. Rubanov, S.I. Stenin, A.A. Fedorov. Ultramicroscopy 35, 11 (1991)
  20. Ю.Б. Болхвитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. ФТП 42, 3 (2008)
  21. J. Narayan, S. Sharan. Mater. Sci. Eng. B 10, 261 (1991)
  22. L.B. Freund. J. Appl. Phys. 68, 2073 (1990)
  23. Yu. B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Philosophical Magazine Letters, 91, First published on: 03 May 2011 (iFirst) 1--7, DOI: 10.1080/ 09500839.2011.581704
  24. E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep. 7, 92 (1991)
  25. D.C. Houghton. J. Appl. Phys. 70, 2136 (1991)
  26. B.W. Dodson, J.Y. Tsao. Appl. Phys. Lett. 51, 1325 (1987)
  27. L.B. Freund, R. Hull. J. Appl. Phys. 71, 2054 (1992)
  28. R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137 (1998)
  29. A. Fisher. Appl. Phys. Lett. 64, 1218 (1994)
  30. J.P. Hirth, J. Lothe. Theory of dislocations. 2nd ed. Wiley, N. Y. (1982). P. 231
  31. L.B. Freund. MRS Bull. 17, 52 (1992)
  32. S.B. Samavedam, W.J. Taylor, J.M. Grant, J.A. Smith, P.J. Tobin, A. Dip, A.M. Philips, R. Liu. J. Vac. Sci. Technol. B 17, 1424 (1999)
  33. J. Parsons, E.H.C. Parker, D.R. Leadley, T.J. Grasby, A.D. Capewell. Appl. Phys. Lett. 91, 063 127 (2007)
  34. X.W. Liu, A.A. Hopgood, B.F. Usher, H. Wang, N.St.J. Braithwaite. J. Appl. Phys. 94, 7496 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.