Издателям
Вышедшие номера
Эффект компенсации в нелегированном поликристаллическом CdTe, синтезированном в неравновесных условиях
Багаев В.С.1, Клевков Ю.В.1, Колосов С.А.1, Кривобок В.С.1, Шепель А.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: kolosov@sci.lebedev.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

В нелегированном поликристаллическом CdTe, полученном в процессах быстрой кристаллизации, обнаружен эффект компенсации, приводящей к возрастанию удельного сопротивления до 108-1010 Omega·cm при концентрации фоновых примесей ~1015 cm-3 (доноры GaCd, ClTe неидентифицированные акцепторы). Для отдельных образцов этот эффект сопровождается появлением незатухающей фотопроводимости, исчезающей при температуре ~200 K. Показано, что для всех исследованных поликристаллов реализуется трехуровневый механизм компенсации, в котором основные свойства материала определяют глубокие доноры и/или акцепторы с концентрацией 1012 cm-3. В зависимости от конкретных условий роста удельное сопротивление при комнатной температуре определяют глубокие центры с энергиями активации 0.59±0.1, 0.71±0.1 eV, предположительно связанные с собственными точечными дефектами, и 0.4±0.1 eV, относящийся к DX-центру, образованному GaCd. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 08-02-01019-a и 0.9-02-01425-a), ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" (Г.К. N П419) и гранта Президента РФ для поддержки молодых ученых кандидатов наук РФ МК-64564.2010.2.
  1. G. Mandel. Phys. Rev. 134, 4A, A 1073 (1964)
  2. Y. Marfaing. Thin Solid Films 387, 123 (2001)
  3. W. Stadler, D.M. Hofmann, H.C. Alt, T. Muschik, B.K. Meyer, E. Wegel, G. Muller-Vogt, M. Salk, E. Rupp, K.W. Benz. Phys. Rev. B 51, 16, 10 610 (1995)
  4. G.F. Neumark. Phys. Rev. B 26, 4, 2250 (1982)
  5. Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 66, 155 211 (2002)
  6. A. Carvalho, A.K. Tagantsev, S. Oberg, P.R. Briddon, N. Setter. Phys. Rev. B 81, 075 215 (2010)
  7. Mao-Hua Du, H. Takenaka, D.J. Singh. Phys. Rev. B 77, 094 122 (2008)
  8. M. Fiderle, V. Babentsov, J. Franc, A. Fauler, K.W. Benz, R.B. James, E. Cross. J. Cryst. Growth 243, 77 (2002)
  9. J. Franc, M. Fiederle, V. Babentsov, A. Fauler, K.W. Benz, R. James. J. Electron. Mater. 32, 7, 772 (2003)
  10. D.J. Chadi, C.H. Park. Mater. Sci. Forum 196--201, 285 (1995)
  11. S.B. Zhang, S.-H. Wei, Yanfa Yan. Physica B 302--303, 135 (2001)
  12. A. Zunger. Appl. Phys. Lett. 83, 57 (2003)
  13. Su-Huai Wei, S.B. Zhang. Phys. Status Solidi B 229, 305 (2002)
  14. Ю.В. Клевков, В.П. Мартовицкий, В.С. Багаев, В.С. Кривобок. ФТП 40, 2, 153 (2006)
  15. В.С. Багаев, Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, Е.Е. Онищенко, А.А. Шепель. ФТП 45, 7, 908 (2011)
  16. Ю.В. Клевков, С.А. Колосов, В.С. Кривобок, В.П. Мартовицкий, С.Н. Николаев. ФТП 42, 11, 1291 (2008)
  17. M.A. Berding. Phys. Rev. B 60, 12, 8943 (1999)
  18. G.M. Khattak, C.G. Scott. J. Phys.: Cond. Matter 3, 8619 (1991)
  19. H. Elhadidy, J. Franc, E. Belas, P. Hlidek, P. Moravec, R. Grill, P. Hoschl. J. Electron. Mater. 37, 9, 1219 (2008)
  20. P. Emanuelsson, P. Omling, B.K. Meyer, M. Wienecke, M. Schenk. Phys. Rev. B 47, 15 578 (1993)
  21. A. Balcioglu, R.K. Ahrenkiel, F. Hasson. J. Appl. Phys. 88, 7175 (2000)
  22. T. Ido, A. Heurtel, R. Triboulet, Y. Marfaing. J. Phys. Chem. Solids 48, 781 (1987)
  23. R.J. Nelson. Appl. Phys. Lett. 31, 5, 351 (1977)
  24. D.V. Lang, R.A. Logan. Phys. Rev. Lett. 39, 10, 635 (1977)
  25. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B 39, 14, 10 063 (1989)
  26. C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B 52, 16, 11 884 (1995)
  27. E. Placzek-Popko, Z. Gumienny, J. Trzmiel, J. Szatkowski. Opt. Appl. 38, 3, 359 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.