Издателям
Вышедшие номера
Влияние режима пластической деформации на магнитные свойства монокристаллов кремния Cz-Si
Дмитриев А.И.1, Скворцов А.А.2, Коплак О.В.3, Моргунов Р.Б.1, Проскуряков И.И.4
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
2Московский государственный технический университет "Московский автомеханический институт", Москва, Россия
3Учебно-научный центр "Физико-химическое материаловедение" Киевского национального университета им. Т. Шевченко и НАН Украины, Киев, Украина
4Институт фундаментальных проблем биологии РАН, Пущино, Московская обл., Россия
Email: aid@icp.ac.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2011 г.

Обнаружено изменение спектров электронного парамагнитного резонанса в монокристаллах кремния Cz-Si, пластически деформированных изгибом и кручением. Пластическая деформация пластин кремния, сопровождающаяся введением дислокаций ~107 cm-2, приводит к появлению новых линий в спектре электронного парамагнитного резонанса. Парамагнитные центры, вводимые при изгибе и кручении, и их спектры электронного парамагнитного резонанса отличаются от центров, исследованных ранее в условиях одноосной деформации. Пластическая деформация приводит к значительному увеличению диамагнитной составляющей магнитной восприимчивости, которое превышает рост парамагнитной составляющей в кристаллах Cz-Si. Работа частично поддержана ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России на 2009-2013 гг." (контракт N П2161), грантами РФФИ N 10-03-00314а, 09-08-97011-р_поволжье_а, грантом президента РФ МК-1764.2011.3.
  1. И.И. Солошенко, А.Ф. Золотарев. Механизмы внутреннего трения в полупроводниковых и металлических материалах. Наука, М. (1972). С. 35
  2. А.М. Орлов, А.А. Скворцов, А.А. Соловьев. ЖЭТФ 123, 1 (2003)
  3. М.В. Бадылевич, Ю.Л. Иунин, В.В. Кведер, В.И. Орлов, Ю.А. Осипьян. ЖЭТФ 124, 664 (2003)
  4. I. Yonenaga, K. Takahashi, T. Taishi, Y. Ohno. Physica B 401, 148 (2007)
  5. I. Yonenaga, K. Takahashi. J. Appl. Phys. 101, 053 528 (2007)
  6. Р.Б. Моргунов. УФН 174, 131 (2004)
  7. Ю.А. Осипьян, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, А.М. Орлов, А.А. Скворцов, Е.Н. Инкина, Й. Танимото. Письма в ЖЭТФ 79, 158 (2004)
  8. M. Badylevich, V. Kveder, V. Orlov, Yu. Ossipyan. Phys. Status Solidi C, 2, 1869 (2005)
  9. H. Alexander, R. Labusch, W. Sander. Solid State Commun. 3, 357 (1965)
  10. F.D. Wohler, H. Alexander, W. Sander. J. Phys. Chem. Solids 31, 1381 (1970)
  11. U. Schmidt, E. Weber, H. Alexander, W. Sander. Solid State Commun. 14, 735 (1974)
  12. В.А. Гражулис, Ю.А. Осипьян. ЖЭТФ 58, 1259 (1970)
  13. В.А. Гражулис, Ю.А. Осипьян. ЖЭТФ 60, 1150 (1971)
  14. В.В. Кведер, Ю.А. Осипьян. ФТП 16, 1930 (1982)
  15. С.В. Броуде, В.А. Гражулис, В.В. Кведер, Ю.А. Осипьян. ЖЭТФ 66, 1469 (1974)
  16. М.Н. Золотухин, В.В. Кведер, Ю.А. Осипьян. ЖЭТФ 81, 299 (1981)
  17. В.В. Кведер, Ю.А. Осипьян. ЖЭТФ 80, 1206 (1981)
  18. Ю.А. Осипьян, С.И. Бредихин, В.В. Кведер, Н.В. Классен, В.Д. Негрий, В.Ф. Петренко, И.С. Смирнова, С.А. Шевченко, С.З. Шмурак, Э.А. Штейнман. Электронные свойства дислокаций в полупроводниках. Эдиториал УРСС, М. (2000). 320 с
  19. В.С. Коваленко. Металлографические реактивы. Металлургия, М. (1981). 120 с
  20. Н.А. Пенин. Электронный спиновый резонанс в полупроводниках. ИИЛ, М. (1962). 380 с
  21. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Мир, М. (1984). 475 с
  22. A. Goltzene, G. Poiblaud, C. Schwab. J. Appl. Phys. 50, 5425 (1979)
  23. C.A.J. Ammerlaan. Defect complexes in semiconductor structures. Lecture notes in physics. Springer, Amsterdam (1983). V. 175. P. 111
  24. S. Hudgens, M. Kastner, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett. 33, 1552 (1974)
  25. A. Roy, M. Turner, M.P. Sarachik. Phys. Rev. B 37, 5522 (1988)
  26. M.P. Sarachik, D.R. He, W. Li, M. Levy, J.S. Brooks. Phys. Rev. B 31, 1469 (1985)
  27. R.B. Morgunov, A.I. Dmitriev, Y. Tanimoto, O. Kazakova. J. Appl. Phys. 105, 093922 (2009)
  28. Р.Б. Моргунов, А.И. Дмитриев, Ф.Б. Мушенок, О.Л. Казакова. ФТП 43, 928 (2009)
  29. M. Farle. Rep. Prog. Phys. 61, 755 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.