Вышедшие номера
Строение и сверхпроводящие свойства монокристаллов Bi 2Sr 2CaCu 2O 8+ x
Левин А.А.1,2, Смолин Ю.И.1,2, Шепелев Ю.Ф.1,2, Сапожникова Л.М.1,2, Головенчиц Е.И.1,2, Санина В.А.1,2
1Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Методом спонтанной кристаллизации выращены монокристаллы с Tc=80 K. Изучено поведение динамической магнитной восприимчивости в зависимости от температуры, амплитуды и частоты магнитного поля. Рентгендифракционные исследования показали наличие несоразмерной модуляции с q=0.210(2) b*. Определена кристаллическая структура базовой ячейки (AgKalpha, a=5.407(3), b=5.412(3), c=30.771(8) Angstrem, пр. гр. Bbmb, R=6.31%, Rw=7.62%, 336F(hkl) ). Расщепление позиций Bi и координирующих его атомов кислорода позволяет учесть несоразмерную модуляцию в базовой ячейке. С использованием перколяционных представлений проведено сопоставление сверхпроводящих свойств и дефектности катионной подрешетки выращенных кристаллов.
  1. Kajitani T., Kusaba K., Kikuchi M. et al. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 27. N 4. P.587--590
  2. Bordet P., Capponi J.J., Chaillout C. et al. Physica C. 1988. V. 153--155. P. 623--624
  3. Sastry P.V.P.S.S., Gopalakrishnan I.K., Sequeira A. et al. Physica C. 1988. V. 156. N 2. P. 230--234
  4. Sequeira A., Rajagopal H., Ganapathi L. Intern. J. Modern Phys. B. 1989. V. 3. P. 445--454
  5. Sequeira A., Rajagopal H., Yakhmi J.V. Physica C. 1989. V. 157. P. 515--519
  6. Sequeira A., Rajagopal H., Nagarajan R., Rao C.N.R. Physica C. 1989. V. 159. N 1--2. P. 87--92
  7. Sequeira A., Rajagopal H., Sastry P.V.P.S.S. Physica B. 1991. V. 174. P. 367--371
  8. Bordet P., Capponi J.J., Chaillout C. et al. Physica C. 1988. V. 156. N 1. P. 189--192
  9. Antson O.K., Karlemo T.T., Karppinen M.J., Ullako K.M. Physica C. 1991. V. 173. N 1--2. P. 65--74
  10. Tarascon J.M., Le Page Y., Barboux P. et al. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 4. P. 9382--9389
  11. Sunshine S.A., Siegrist T., Schneemeyer L.F. et al. Phys. Rev. B. 1988. V. 38. N 1. P. 893--896
  12. Imai K., Nakai I., Kawashita T. et al. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1988. V. 27. N 9. P. 1661--1664
  13. Subramanian M.A., Torardi C.C., Calabrese J.C. et al. Science. 1988. V. 239. P. 1015--1017
  14. Subramanian M.A., Torardi C.C., Gopalakrishnan J. et al. Physica C. 1988. V. 153--155. P. 608--612
  15. Torardi C.C., Parise J.B., Subramanian M.A., Sleight A.W. Physica C. 1989. V. 157. N 1. P. 115--123
  16. von Schnering H.G., Walz L., Schwarz M. et al. Angew. Chem. 1988. V. 100. N 4. S. 604--607
  17. Gao Y., Lee P., Coppens P. et al. Science. 1988. V. 241. P. 954--956
  18. Petricek V., Gao Y., Lee P., Coppens P. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 1. P. 387--392
  19. Bescrownyi A.I., Dlouha M., Jirak Z. et al. Physica C. 1990. V. 166. N 1--2. P. 79--86
  20. Yamamoto A., Onoda M., Takayama-Muromachi E., Izumi F. Phys. Rev. B. 1990. V. 42. N 7. P. 4228--4239
  21. Calestani G., Rizzoli C., Francesconi M.G., Andreetti G.D. Physica C. 1990. V. 161. N 5--6. P. 598--606
  22. Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф., Левин А.А. Высокотемпературная сверхпроводимость (актуальные проблемы) / Под ред. А.А.Киселева. Л.: ЛГУ, 1989. В. 2. С. 74--103
  23. Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф., Левин А.А. ЖНХ. 1989. Т. 34. N 10. С. 2451--2468
  24. Левин А.А., Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф. и др. ФТТ. 1991. Т. 33. N 5. С. 1434--1442
  25. Левин А.А., Смолин Ю.И., Шепелев Ю.Ф. Тез. докл. VI совещания по кристаллохимии неорганических и координационных соединений. Львов, 1992. С. 145
  26. Андрианов В.И., Сафина З.Ш., Тарнопольский Б.Л. ЖСХ. 1974. Т. 15. N 6. С. 911--917
  27. Busing W.R., Martin K.O., Levy H.A. Oak Ridge Mat. Lab. Rept. ORNL-ТМ-305. Tennessee, 1962
  28. International Tables for X-ray Crystallography. Birmingham: Kynoch Press, 1974. V. 4
  29. Cruickshank L.W.J. Computing methods in crystallography / Ed. J. S. Rollet. Pergamon Press, 1965. P. 112--116
  30. Уэллс А. Структурная неорганическая химия. М.: Мир, 1987. Т. 2. 696 с
  31. Nagano H., Liang R., Matsunaga Y. et al. Jpn. J. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 28. N 3. P. 364--367
  32. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979. 416 с
  33. Klee M., de Vries J.W.C., Brand W. Physica C. 1988. V. 156. N 4. P. 641--648
  34. Shi F., Rong T.S., Zhou S.Z. et al. Phys. Rev. B. 1990. V. 41. N 10. P. 6541--6546

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.