Исследование процесса формирования наноразмерных кластеров кремния в диоксиде кремния при облучении электронным пучком
Заморянская М.В.1, Иванова Е.В.1, Ситникова А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: kolesnikova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.
При облучении диоксида кремния пучком электронов с высокой удельной мощностью в облучаемой области образуются нанокристаллы кремния, формируется модифицированная область, которая представляет собой нанокомпозит Si-SiO2. Работа посвящена исследованию процесса формирования этого нанокомпозита и его люминесцентных свойств.
- Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.В. Колесникова, В.И. Соколова, Е.Ю. Флегонтова. ФТТ 46, 6, 989 (2004)
- L.N. Skuja, A.R. Silin. Phys. Status Solidi A 70, 43 (1982)
- А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные и элементарные возбужедения в кристаллическом и стеклообразном SiO2. Зинатне, Рига (1985). 244 с
- L.N. Skuja, A.N. Streletsky, A.B. Pakovich. Solid State Commun. 50, 12, 2374 (1984)
- G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett. 78, 16, 3161 (1997)
- M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshinara. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 12B, 7140 (1999)
- М.В. Заморянская, А.Н. Заморянский, И.А. Вайкеншенкер. ПТЭ 4, 192 (1987)
- В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Наука, Новосибирск (1993). 280 с
- M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, V. Plotnikov. Appl. Surf. Sci. 234, 1-4, 214 (2004)
- G.D. Sanders, Y.C. Chang. Phys. Rev. B 45, 9202 (1992)
- T.P. McLean, R. Loudon. J. Phys. Chem. Solids 13, 1, 1 (1960)
- И.П. Акимченко, Ю.В. Бармин, В.С. Вавилов, В.И. Гавриленко, И.В. Золотухин, В.Г. Литовченко. ФТП 18, 12 2138 (1984)
- Н.А. Колобов. Основы технологии электронных приборов. Высш. шк., М. (1980). 288 с
- Jing Zhu L, D. Merlke, C. S. Menoni, I.L. Spain. Phys. Rev. B 34, 7, 4679 (1986).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
