Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование процесса формирования наноразмерных кластеров кремния в диоксиде кремния при облучении электронным пучком

Заморянская М.В.¹, Иванова Е.В.¹, Ситникова А.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: kolesnikova@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 2 декабря 2010 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2011 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

При облучении диоксида кремния пучком электронов с высокой удельной мощностью в облучаемой области образуются нанокристаллы кремния, формируется модифицированная область, которая представляет собой нанокомпозит Si-SiO₂. Работа посвящена исследованию процесса формирования этого нанокомпозита и его люминесцентных свойств.

Л.А. Бакалейников, М.В. Заморянская, Е.В. Колесникова, В.И. Соколова, Е.Ю. Флегонтова. ФТТ 46, 6, 989 (2004)
L.N. Skuja, A.R. Silin. Phys. Status Solidi A 70, 43 (1982)
А.Р. Силинь, А.Н. Трухин. Точечные и элементарные возбужедения в кристаллическом и стеклообразном SiO₂. Зинатне, Рига (1985). 244 с
L.N. Skuja, A.N. Streletsky, A.B. Pakovich. Solid State Commun. 50, 12, 2374 (1984)
G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. Lett. 78, 16, 3161 (1997)
M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshinara. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 12B, 7140 (1999)
М.В. Заморянская, А.Н. Заморянский, И.А. Вайкеншенкер. ПТЭ 4, 192 (1987)
В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах. Наука, Новосибирск (1993). 280 с
M.V. Zamoryanskaya, V.I. Sokolov, V. Plotnikov. Appl. Surf. Sci. 234, 1-4, 214 (2004)
G.D. Sanders, Y.C. Chang. Phys. Rev. B 45, 9202 (1992)
T.P. McLean, R. Loudon. J. Phys. Chem. Solids 13, 1, 1 (1960)
И.П. Акимченко, Ю.В. Бармин, В.С. Вавилов, В.И. Гавриленко, И.В. Золотухин, В.Г. Литовченко. ФТП 18, 12 2138 (1984)
Н.А. Колобов. Основы технологии электронных приборов. Высш. шк., М. (1980). 288 с
Jing Zhu L, D. Merlke, C. S. Menoni, I.L. Spain. Phys. Rev. B 34, 7, 4679 (1986).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель