С помощью оже-спектроскопии в области температур от 300 до 2000 K изучены начальные стадии формирования пленки кремния на поверхности текстурированных иридиевых лент. Обнаружено, что в пределах двух монослоев (IML=7·10¹⁴ ат./см²) на поверхности Ir (111) наблюдается эпитаксиальный рост кремния Si (111). При толщинах пленки большей 2ML структура пленки становится неупорядоченной, а механизм ее роста близок к механизму Странского-Крастанова. При температурах T>~=900K наблюдается растворение кремния в подложке до предельной растворимости -10^-2 ат.%. После превышения этого предела наблюдается накопление кремния в приповерхностной области подложки. При температурах T>1500 K происходят разрушение образованной пленочной структуры и термодесорбция кремния с поверхности подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.