Исследованы гальваномагнитные свойства и Al L_II-III рентгеновские эмиссионные спектры гцк твердых растворов замещения Al_1-xSi_x, синтезированных методом закалки в условиях высокого давления (p=< 100 кбар). Проанализировано изменение концентрации и подвижности носителей заряда в ряду Al_1-xSi_x. Обнаружено резкое изменение характеристик зоны проводимости для составов x>1 ат.% Si, а в интервале концентраций x>8 ат.% Si - заметное усиление дефектообразования.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.