Методами ИК спектроскопии и растровой электронной микроскопии исследована динамика изменения интенсивности колебательных полос собственного оксида GaAs в зависимости от морфологии микрорельефа поверхности и толщины оксида. Обнаруженное усиление интенсивности колебательных мод предположительно объясняется андерсоновской локализацией ИК света в случайно неупорядоченной поверхностной структуре, образующейся вследствие анизотропного травления.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.