Вышедшие номера
Энергетическая фильтрация носителей тока в наноструктурированном материале на основе теллурида висмута
Булат Л.П.1, Драбкин И.А.2, Каратаев В.В.2, Освенский В.Б.2, Пархоменко Ю.Н.2, Пшенай-Северин Д.А.3, Пивоваров Г.И.4, Табачкова Н.Ю.5
1Санкт-Петербургский государственный университет низкотемпературных и пищевых технологий, Санкт-Петербург, Россия
2Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
5Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: bulat@gunipt.spb.ru
Поступила в редакцию: 7 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

Теоретически и экспериментально исследованы зависимости электропроводности и термоэдс от размеров зерен в нанокристаллическом материале на основе твердых растворов Bi2Te3-Sb2Te3 p-типа. Проведен расчет времени релаксации при рассеянии дырок на границах нанозерен в изотропном поликристалле с учетом энергетической зависимости вероятности туннелирования носителей и зависимости интенсивности рассеяния от размеров нанозерен Ln. Уменьшение вероятности граничного рассеяния с ростом энергии носителей приводит к увеличению термоэдс. Зависимости термоэдс и электропроводности от размера нанозерен, полученные с учетом граничного рассеяния и рассеяния на акустических фононах, хорошо согласуются с экспериментом. В рассматриваемом материале коэффициент термоэдс увеличивается на 10-20% по сравнению с исходным твердым раствором при Ln=20-30 nm. Это может привести к увеличению термоэлектрической эффективности на 20-40% при условии, что уменьшение электропроводности и решеточной теплопроводности скомпенсируют друг друга. Несмотря на отсутствие полной компенсации, в исследованных образцах удалось увеличить термоэлектрическую эффективность до значения ZT=1.10-1.12. Работа выполнена при поддержке Роснауки (контракт N 3008-03-1.3-25-02) и гранта Президента РФ N МК-7419.2010.2.
  1. B. Poudel, Q. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Liu, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Zh. Ren. Science 320, 634 (2008)
  2. L.P. Bulat, V.B. Osvensky, G.I. Pivovarov, A.A. Snarskii, E.V. Tatyanin, A.A.O. Tay. Proc. of the 6th Eur. Conf. on Thermoelectrics. Paris, France (2008). P. I2-1
  3. Л.П. Булат, И.А. Драбкин, В.Б. Освенский, Г.И. Пивоваров, А.А. Снарский, Е.В. Татьянин. Термоэлектрики и их применение. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, СПб (2008). С. 39
  4. Л.П. Булат, В.Т. Бублик, И.А. Драбкин, В.В. Каратаев, В.Б. Освенский, Г.И. Пивоваров, Д.А. Пшенай-Северин, Е.В. Татьянин, Н.Ю. Табачкова. Термоэлектричество 3, 70 (2009)
  5. Л.П. Булат, Д.А. Пшенай-Северин. ФТТ 52, 3, 452 (2010)
  6. Л.П. Булат, И.А. Драбкин, В.В. Каратаев, В.Б. Освенский, Д.А. Пшенай-Северин. ФТТ 52, 9, 1712 (2010)
  7. B. Moyzhes, V. Nemchinsky. Proc. Int. Conf. on Thermoelectrics (ICT XI), Arlington, USA (1992). P. 232
  8. Yu.I. Ravich. In: CRC Handbook of Thermoelectrics. CRC, N.Y. (1995). P. 67
  9. B. Moyzhex, V. Nemchinsky. Appl. Phys. Lett. 73, 1895 (1998)
  10. M.S. Dresselhaus, G. Chen, M.Y. Tang, R. Yang, H. Lee, D. Wang, Zh. Ren, J.-P. Fleurial, P. Gogna. Adv. Mater. 19, 1043 (2007)
  11. Sh.B.A. Atakulov, A.N. Shamsiddinov. Solid State Commun. 56, 215 (1985)
  12. A. Popescu, L.M. Woods, J. Martin, G.S. Nolas. Phys. Rev. B 79, 205 302 (2009)
  13. A.F. Mayadas, M. Shatzkes. Appl. Phys. Lett. 14, 345 (1969)
  14. A.F. Mayadas, M. Shatzkes. Phys. Rev. B 1, 1382 (1970)
  15. В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г.Моисеев. ФТП 39, 208 (2005)
  16. А.Н. Иванов, Е.В. Шелихов, Е.Н. Кузьмина. Завод. лаб. Диагностика материалов 70, 11, 29 (2004)
  17. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3. Наука, М. (1972). 320 с
  18. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Т. 3. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Наука, М. (1989). 768 с
  19. J.R. Drabble, R. Wolfe. Proc. Phys. Soc. B 69, 1101 (1956)
  20. Л.Н. Лукьянова, В.А. Кутасов, П.П. Константинов, В.В. Попов. ФТТ 52, 8, 1492 (2010)
  21. M. Stordeur, M. Stoelzer, H. Sobotta, V. Riede. Phys. Status Solidi B 150, 165 (1988)
  22. Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках. Наука, М. (1985). 320 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.