Издателям
Вышедшие номера
Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-ySiy
Середин П.В.1, Домашевская Э.П.1, Терновая В.Е.1, Арсентьев И.Н.2, Винокуров Д.А.2, Тарасов И.С.2, Prutskij T.3
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Instituto de Ciencias, Benemerita Universidad Autonoma de Puebla, Puebla, Mexico
Email: paul@phys.vsu.ru
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Установлено, что в спектрах фотолюминесценции высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-ySiy наблюдается гашение основных экситонных полос тройных твердых растворов AlxGa1-xAs и возникновение других максимумов. Гашение основных экситонных полос может быть связано как с образование DX-центров, так и с изменением характера зонной структуры четверных твердых растворов (AlxGa1-xAs)1-ySiy. Работа выполнена при поддержке грантов РФФИ N 12-02-31003 и 12-02-33040.
  1. K. Uchida, S. Bhunia, N. Sugiyama, M. Furiya, M. Katoh, S. Nozaki, H. Morisaki. J. Cryst. Growth 248, 124 (2003)
  2. M. Longo, R. Magnanini, A. Parisini, L. Tarricone, A. Carbognani, C. Bocchi, E. Gombia. J. Cryst. Growth 248 119 (2003)
  3. J. Mimila-Arroyo, S.W. Brand. Appl. Phys. Lett. 77, 1164 (2000)
  4. C. Monier, A.G. Baca, S.Z. Sun, E. Armour, F. Newman, H.Q. Hou. Appl. Phys. Lett. 81, 2103 (2002)
  5. T. Takamoto, T. Agui, E. Ikeda. Solar Energy Mater. Solar Cells 66, 511 (2001)
  6. P.V. Bulaev, A.A. Marmakyuk, A.A. Padalitsa, D.B. Nikitin, I.D. Zalevsky, V.A. Kapitonov, D.N. Nikolaev, N.A. Pikhtin, A.V. Lyutetskiy, I.S. Tarasov. J. Cryst. Growth. 248, 114 (2003)
  7. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов. ФТП 43, 1654 (2009)
  8. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B 405, 2694 (2010)
  9. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич. ФТП 47, 9 (2013)
  10. П.В. Середин, А.В. Глотов, Э.П. Домашевская, И.К. Арсентьев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов, И.А. Журбина. ФТП 44, 194 (2010)
  11. K.P. Lisiak, A.G. Milnes. J. Appl. Phys. 46, 5229 (1975)
  12. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. John Wiley and Sons, N.Y. (1981). P. 832
  13. S. Ghosh, V. Kumar. Phys. Rev. B 55, 4042 (1997).
  14. H. Mejri, A. Selmi, H. Maaref, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys. 69, 4060 (1991)
  15. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Physica B 405, 4607 (2011)
  16. П.В. Середин, А.В. Глотов, В.Е. Терновая, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Л.С. Вавилова, И.С. Тарасов. ФТП 45, 1489 (2011)
  17. П.В. Середин. Конденсированные среды и межфазные границы 12, 258 (2010)
  18. J. Kundrotas, A. Cerskus, V. Nargeliene, A. Suzeiedelis, S. Asmontas, J. Gradauskas, A. Johannessen, E. Johannessen, V. Umansky. J. Appl. Phys. 108, 063 522 (2010)
  19. E. Munoz Merino. DX centers: Donors in AIGaAs and related compounds. V. 108. Defect and diffusion forum. Trans Tech. Publ., Ltd. (1994). P. 186
  20. S. Laref, S. Mecabih, B. Abbar, B. Bouhafs, A. Laref. Physica B 396, 169 (2007).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.