Издателям
Вышедшие номера
Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур
Безъязычная Т.В.1, Богданович М.В.2, Григорьев А.В.2, Зеленковский В.М.1, Кабанов В.В.2, Кабанов Д.М.2, Лебедок Е.В.2, Рябцев А.Г.3, Рябцев Г.И.2, Щеме лев М.А.3
1Институт физико-органической химии НАН Беларуси, Минск, Белоруссия
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
3Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: ryabtsev@dragon.bas-net.by
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Определены значения уровней энергии в запрещенной зоне InxGa1-xAs для вакансий галлия и мышьяка, а также для примеси кремния в зависимости от содержания индия. Проведена оценка влияния дефектов на величину мощности генерации и оптимальное значение коэффициента отражения выходного зеркала лазерных диодных линеек (ЛДЛ) на основе In0.11Ga0.89As/AlGaAs-гетероструктур. Показано, что для ЛДЛ, в активном слое которых присутствуют дефекты с глубоким положением энергетического уровня в запрещенной зоне, мощность генерации существенно ниже (при прочих равных условиях), чем для ЛДЛ, имеющих в активном слое дефекты с мелкими уровнями.
  1. R.F. Kirkman, R.A. Stradlingt, P.J. Lin-Chungl. J. Phys. C: Solid State Phys. 11, 419 (1977)
  2. R.A. Cooke, R.A. Hoult, R.F. Kirkman, R.A. Stradlin. J. Phys. D: Appl. Phys. 11, 945 (1978)
  3. K. Saarinen, P. Hautojarvi, P. Lanki, C. Corbel. Phys. Rev. B 44, 10 585 (1991)
  4. Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B 45, 1645 (1992)
  5. H.P. Komsa, A. Pasquarello. J. Phys.: Cond. Matter. 24, 045 801 (2012)
  6. Т.В. Безъязычная, В.М. Зеленковский, Г.И. Рябцев, М.М. Соболев. ФТП 38, 213 (2004)
  7. D.A. Murdick, X.W. Zhou, H.N.G. Wadley. J. Cryst. Grow. 286, 197 (2006)
  8. P.T. Landsberg, M.S. Abrahams, M. Osinski. IEEE J. Quantum Electron. 21, 24 (1985)
  9. А.А. Афоненко, В.К. Кононенко, И.С. Манак, В.А. Шевцов. ФТП 31, 1087 (1997)
  10. М.В. Богданович, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелёв, С.К. Мехта. ЖПС 78, 868 (2011)
  11. В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, Г.И. Рябцев, А.С. Смаль, М.А. Щемелев, Д.А. Винокуров, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП 46, 1339 (2012)
  12. S. Yip. Handbook of materials modelling Springer, Dordrecht (2005) 3004 p
  13. http://www.msg.ameslab.gov/gamess/
  14. S. Huzinaga, J. Andzelm, M. Klobukowski, E. Radzio-Andzelm, Y. Sakai, H. Tatewaki. Gaussian basis sets for molecular calculations. Elsevier, Amsterdam (1984) 426 p
  15. M. Seel. Int. J. Quant. Chem. 34, 265 (1988)
  16. W.S. Lau, T. Han. Appl. Phys. Lett. 86, 152 107 (2005)
  17. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M. Shur. Handbook series on semiconductor parameters V. 2. World Scientific Publishing Co, London (1999) 300 p
  18. M.V. Bogdanovich, V.V. Kabanov, Y.V. Lebiadok, A.G. Ryabtsev, G.I. Ryabtsev, M.A. Shchemelev, S.S. Kurlenkov, S.M. Sapozhnikov, S.K. Mehta. Opt. Las. Tech. 45, 177 (2013)
  19. М.В. Богданович, В.В. Кабанов, Е.В. Лебедок, А.А. Романенко, А.Г. Рябцев, Г.И. Рябцев, М.А. Щемелёв, С.К. Мехта. ЖПС 78, 868 (2011)
  20. T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, A.V. Grigor'ev, V.V. Kabanov, Y.V. Lebiadok, A.G. Ryabtsev, G.I. Ryabtsev, M.A. Shchemelev, S.K. Mehta. Opt. Comm. 285, 2397 (2012)
  21. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits. John Wiley \& Sons Inc, N.Y. (1995) 594 p
  22. Г.Б. Галиев, М.В. Карачевцева, В.Г. Мокеров, В.А. Страхов, Г.Н. Шкердин, Н.Г. Яременко, ФТП 37, 599 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.