ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Применение структурированных атомными ступенями поверхностей 6H-SiC (0001) для калибровки наноперемещений в сканирующей зондовой микроскопии

М.С.Дунаевский, И.В.Макаренко, В.Н.Петров,
А.А.Лебедев, С.П.Лебедев, А.Н.Титков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: Alexander.Titkov@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 1 июля 2008 г.

Методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследовались Si-поверхности 6H-SiC (0001), подвергнутые ступенчатому высокотемпературному отжигу в вакууме. Найдена процедура отжига, приводящая к структурированию поверхности регулярными атомно-гладкими ступенями высотой 0.75 или 1.5 nm. Предлагается использовать получаемые структурированные поверхности в качестве тестовых объектов для z-калибровки сканирующих зондовых микроскопов.

PACS: 68.55.J, 68.37.Ps

 PDF версия (842Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster