"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Применение структурированных атомными ступенями поверхностей 6H-SiC (0001) для калибровки наноперемещений в сканирующей зондовой микроскопии
Дунаевский М.С.1, Макаренко И.В.1, Петров В.Н.1, Лебедев А.А.1, Лебедев С.П.1, Титков А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Alexander.Titkov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2008 г.

Методами атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследовались Si-поверхности 6H-SiC (0001), подвергнутые ступенчатому высокотемпературному отжигу в вакууме. Найдена процедура отжига, приводящая к структурированию поверхности регулярными атомно-гладкими ступенями высотой 0.75 или 1.5 nm. Предлагается использовать получаемые структурированные поверхности в качестве тестовых объектов для z-калибровки сканирующих зондовых микроскопов. PACS: 68.55.J, 68.37.Ps
  1. Миронов В.Л. // Основы сканирующей зондовой микроскопии. Н. Новгород: Изд-во Института физики микроструктур РАН, 2004
  2. http://www.ntmdt.com. Cайт компании НТ-МДТ, производящей АСМ/СТМ приборы
  3. Nakajima A., Yokoya H., Furukawa Y., Yonezu H. // J. of Appl. Phys. 2005. V. 97. P. 104919
  4. Shun-ichi Nakamura, Kimoto T., Matsunami H., Tanaka S., Teraguchi N., Suzuki A. // Appl. Phys. Lett. 2000. V. 76 (23). P. 3412
  5. Heine V., Cheng C., Needs R.J. // J. Am. Ceram. Soc. 1991. V. 74 (3). P. 2630
  6. Chien F.R., Nutt S.R., Yoo W.S. // J. Mater. Res. 1994. V. 8 (2). P. 940
  7. Nakagawa H., Tanaka S., Suemune I. // Phys. Rev. Lett. 2003. V. 91 (22). P. 226107

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.