ПЖТФ, 2009, том 35, выпуск 1

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Коррекция характеристик сильнооблученных SiC-детекторов ядерного излучения путем повышения рабочей температуры

А.М.Иванов, Н.Б.Строкан, А.А.Лебедев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
E-mail: alexandr.ivanov@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 10 июля 2008 г.

Благодаря широкой запрещенной зоне карбида кремния p-n-структуры на его основе имеют малые плотности генерационного тока. Это позволяет в случае p-n-детекторов ядерного излучения повышать рабочую температуру и тем самым управлять временами выброса неравновесных носителей заряда с центров, связанных с дефектами.

Рассмотрен сильнооблученный p-n-детектор (содержание первично смещенных атомов ~ 2· 1017 cm-3). Для системы возникших уровней оценены температуры, при которых выброс захваченных носителей происходит за время формирования импульса электроникой. Оценена величина генерационного тока при этих температурах. Экспериментально установлено, что с ростом температуры снижается негативная роль захвата, а при 250oC удается избежать локализации электронов на уровнях мельче 0.76 eV от зоны проводимости.

PACS: 61.82.Fk, 61.80.-x

 PDF версия (168Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2009, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster