ПЖТФ, 2008, том 34, выпуск 12

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Гексагональные структуры в нитевидных нанокристаллах GaAs

И.П.Сошников, Г.Э.Цырлин, Н.В.Сибирев, В.Г.Дубровский,
Ю.Б.Самсоненко, D.Litvinov, D.Gerthsen

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург
Technical University of Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe, Germany
E-mail: NickSibirev@yandex.ru

Поступило в Редакцию 26 декабря 2007 г.

Проведены экспериментальные исследования кристаллографической структуры нитевидных нанокристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au. Методами дифракции быстрых электронов на отражение и просвечивающей электронной микроскопии показано, что нитевидные нанокристаллы GaAs могут образовывать кристаллическую структуру сфалерита, вюрцита или промежуточной фазы, близкой к политипу 4H, в зависимости от условий осаждения и размера капель катализатора. Полученные результаты интерпретируются в рамках термодинамической модели.

PACS: 68.70.+w, 61.50.Ah, 61.50.Nw

 PDF версия (1.7Mb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2008, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster