ПЖТФ, 2007, том 33, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках пористого SiC

К.Д.Мынбаев, М.Г.Мынбаева, А.С.Зубрилов, Н.В.Середова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
E-mail: mynkad@mail.ioffe.ru

Поступило в Редакцию 1 июля 2006 г.

Проведены сравнительные измерения фотолюминесценции одиночных эпитаксиальных слоев GaN и электролюминесценции двойных гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных на подложках пористого (ПКК) и непористого карбида кремния. Показано, что в эпитаксиальных слоях, выращенных на пористой подложке, уменьшается концентрация центров безызлучательной рекомбинации, связанных с дислокациями. Сделано предположение, что это, в свою очередь, влияет на процессы излучательной рекомбинации в приборных структурах на основе эпитаксиальных слоев нитридов III группы, выращенных на подложке ПКК.

PACS: 78.55.-m

 PDF версия (113Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster