Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2007, выпуск 2 » Статья стр. 74
<<<>>>
Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках пористого SiC
Мынбаев К.Д.1, Мынбаева М.Г.1, Зубрилов А.С.1, Середова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mynkad@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.
PDF версия
Проведены сравнительные измерения фотолюминесценции одиночных эпитаксиальных слоев GaN и электролюминесценции двойных гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных на подложках пористого (ПКК) и непористого карбида кремния. Показано, что в эпитаксиальных слоях, выращенных на пористой подложке, уменьшается концентрация центров безызлучательной рекомбинации, связанных с дислокациями. Сделано предположение, что это, в свою очередь, влияет на процессы излучательной рекомбинации в приборных структурах на основе эпитаксиальных слоев нитридов III группы, выращенных на подложке ПКК. PACS: 78.55.-m
  1. Yun F., Reshchikov M.A., He L., Morkoc H., Inoki C.K., Kuan T.S. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 4142
  2. Inoki C.K., Kuan T.S., Sagar A., Lee C.D., Feenstra R.M., Koleske D.D., Diaz D.J., Bohn P.W., Adesida I. // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. V. 200. P. 44
  3. Jeong J.K., Kim H.J., Seo H.-C. et al. // Electrochem. Sol.--State Lett. 2004. V. 7. P. C43
  4. Мынбаева М.Г., Константинов О.В., Мынбаев К.Д., Романов А.Е., Ситникова А.А. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. В. 23. С. 25--31
  5. Yun F., Dogan S., Moon Y.T., Fu Y., Xu J., Johnstone D., Morkoc H. // Phys. Stat. Sol. (c). 2005. V. 2. P. 2087
  6. Мынбаева М.Г., Бауман Д.А., Мынбаев К.Д. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 1571
  7. Nikolaev A.E., Nikitina I., Zubrilov A., Mynbaeva M., Melnik Yu., Dmitriev V. // MRS Int. Journ. Nitride Semicond. Res. 2000. V. 5S1. P. W6
  8. Reshchikov M.A. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. Art. 061301
  9. Nakamura S., Fasol G. The Blue Laser Diode. Berlin: Springer, 1997. P. 177
  10. Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники. М.: Высш. шк., 1994. 304 с
  11. Eliseev P.G., Perlin P., Furioli J., Sartori P., Mu J., Osinski M. // J. Electron. Mater. 1997. V. 26. P. 311
  12. Casey H.C., Jr., Muth J., Krishnankutty S., Zavada J.M. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. P. 2867
  13. Karpov S.Yu., Makarov Yu.N. // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. P. 4721
  14. Yonenaga I., Makino H., Itoh S., Goto T. // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. P. 714
  15. Fang Z.-Q., Look D.C., Polenta L. // J. Phys.: Condens. Matter. 2002. V. 14. P. 13061

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme