Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 22 » Статья стр. 20
<<<>>>
Моделирование состава нитевидных нанокристаллов тройных соединений III-V при селективной эпитаксии в двумерных массивах отверстий
Российский научный фонд и Санкт-Петербургский научный фонд, 26-12-20010
Дубровский В.Г.1,2, Мельников А.E.1,2, Маркова Н.И.1,2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia
Email: v.dubrovskii@spbu.ru, nadinemark@icloud.com
Поступила в редакцию: 21 июля 2026 г.
В окончательной редакции: 3 августа 2026 г.
Принята к печати: 10 августа 2026 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2026 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование состава нитевидных нанокристаллов (ННК) тройных соединений III-V, основанных на смешении атомов группы III, при селективном росте в массивах отверстий радиуса R и шага P любой геометрии. Показано, что в условиях, обогащенных по группе V, диаграмма состава определяется формулой Ленгмюра-МакЛина с коэффициентом, зависящим от R и P. При малых P и больших R состав ННК равен составу пара. При больших P и малых R состав ННК отличается от состава пара из-за различия в диффузионных длинах адатомов группы III на поверхности маски. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, селективный рост, тройные соединения III-V, состав, моделирование.
  1. P.C. McIntyre, A. Fontcuberta i Morral, Mater. Today Nano, 9, 100058 (2020). DOI: 10.1016/j.mtnano.2019.100058
  2. L.C. Chuang, M. Moewe, C. Chase, N.P. Kobayashi, C. Chang-Hasnain, S. Crankshaw, Appl. Phys. Lett., 90, 043115 (2007). DOI: 10.1063/1.2436655
  3. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  4. G. Boras, X. Yu, H. Liu, J. Semicond., 40, 101301 (2019). DOI: 10.1088/1674-4926/40/10/101301
  5. E. Roche, Y. Andre, G. Avit, C. Bougerol, D. Castelluci, F. Reveret, E. Gil, F. Medard, J. Leymarie, T. Jean, V.G. Dubrovskii, A. Trassoudain, Nanotechnology, 29, 465602 (2018). DOI: 10.1088/1361-6528/aaddc1
  6. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, D.A. Kirilenko, K.P. Kotlyar, I.S. Makhov, R.R. Reznik, V.O. Gridchin, Nanoscale Horiz., 9, 2360 (2024). DOI: 10.1039/d4nh00412d
  7. V.G. Dubrovskii, F. Glas, in Fundamental properties of semiconductor nanowires, ed. N. Fukata, R. Rurali (Springer, 2020), p. 3--107. DOI: 10.1007/978-981-15-9050-4_1
  8. X. Yuan, D. Pan, Y. Zhou, X. Zhang, K. Peng, B. Zhao, M. Deng, J. He, H.H. Tan, C. Jagadish, Appl. Phys. Rev., 8, 021302 (2021). DOI: 10.1063/5.0044706
  9. M. Ghasemi, E.D. Leshchenko, J. Johansson, Nanotechnology, 32, 072001 (2020). DOI: 10.1088/1361-6528/abc3e2
  10. V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko, Phys. Rev. Mater., 7, 056001 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.056001
  11. V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko, Phys. Rev. Mater., 7, 074603 (2023). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.7.074603
  12. V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. Mater., 9, 036002 (2025). DOI: 10.1103/PhysRevMaterials.9.036002
  13. V.G. Dubrovskii, Cryst. Growth Des., 17, 2589 (2017). DOI: 10.1021/acs.cgd.7b00124
  14. D. McLean, Grain boundaries in metals (Oxford University Press, N.Y., 1957)
  15. J. Johansson, C.P.T. Svensson, T. Martensson, L. Samuelson, W. Seifert, J. Phys. Chem. B, 109, 13567 (2005). DOI: 10.1021/jp051702j
  16. M.C. Plante, R.R. LaPierre, J. Appl. Phys., 105, 114304 (2009). DOI: 10.1063/1.3131676
  17. E. De Jong, R.R. LaPierre, J.Z. Wen, Nanotechnology, 21, 045602 (2010). DOI: 10.1088/0957-4484/21/4/045602
  18. J.C. Harmand, F. Glas, G. Patriarche, Phys. Rev. B, 81, 235436 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.235436
  19. M. Borg, J. Johansson, K. Storm, K. Deppert, J. Cryst. Growth, 366, 15 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.142
  20. D. Mosiiets, Y. Genuist, J. Cibert, E. Bellet-Amalric, M. Hocevar, Cryst. Growth Des., 24, 3888 (2024). DOI: 10.1021/acs.cgd.4c00186

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme