Установлена роль кинетики кристаллизации при формировании тонких сегнетоэлектрических пленок на подложках платинированного кремния. Кристаллизация в условиях быстрого термического отжига приводит к увеличению скорости гетерогенного зародышеобразования, что вызывает образование сильно текстурированных пленок, сохраняющих поляризационные свойства при некотором росте диэлектрической проницаемости. При этом усиливаются диффузионные процессы по границам зерен Pt-электрода, что проявляется главным образом в большей по сравнению со случаем изотермического отжига величине проводимости. Она определяется доминирующим процессом транспорта носителей по границам зерен. Данный фактор необходимо учитывать в процессах интеграции сегнетоэлектрических элементов для обеспечения компромисса между минимизацией температурного бюджета и сохранением электрических характеристик структур. Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки, цирконат-титанат свинца, кристаллизация, быстрый термический отжиг.