Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 20 » Статья стр. 21
<<<>>>
Планарный эффект Холла и анизотропное магнитосопротивление в монокристаллических пленках сплава Гейслера CоFeMnSi
Министерство образования и науки Российской Федерации , Государственное задание, FSMR-2024-0004
Верюжский И.В. 1, Приходько А.С. 1, Усков Ф.А. 1, Григорашвили Ю.Е. 1, Боргардт Н.И. 1
1Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: scme@miee.ru
Поступила в редакцию: 28 мая 2026 г.
В окончательной редакции: 4 июля 2026 г.
Принята к печати: 5 июля 2026 г.
Выставление онлайн: 10 августа 2026 г.
PDF версия
Планарный эффект Холла и анизотропное магнитосопротивление исследованы в монокристаллических пленках CoFeMnSi толщиной 20 nm в магнитных полях до 11 mТ при комнатной температуре. После их выращивания методом лазерного осаждения на подложке MgO (100) с применением масочной технологии создавалась многослойная структура для проведения электрических измерений. Атомарное строение и состав пленок изучались методом просвечивающей электронной микроскопии. Получены осциллирующие зависимости напряжения Холла от угла между направлением протекания тока и внешним магнитным полем. Установлено, что величина анизотропного магнитосопротивления отрицательна и составляет около -0.16 %. Ключевые слова: планарный эффект Холла, анизотропное магнитосопротивление, сплав Гейслера, импульсное лазерное осаждение, электронная микроскопия.
  1. K. Elphick, W. Frost, M. Samiepour, T. Kubota, K. Takanashi, H. Sukegawa, S. Mitani, A. Hirohata, Sci. Technol. Adv. Mater., 22 (1), 235 (2021). DOI: 10.1080/14686996.2020.1812364
  2. D. Rani, L. Bainsla, A. Ablam, K.G. Suresh, J. Appl. Phys., 128 (22), 220902 (2020). DOI: 10.1063/5.0028918
  3. H. Yako, T. Kubota, K. Takanashi, IEEE Trans. Magn., 51 (11), 2600403 (2015). DOI: 10.1109/TMAG.2009.2018578
  4. V. Mishra, V. Barwal, L. Pandey, N.K. Gupta, S. Hait, A. Kumar, N. Sharma, N. Kumar, S. Chaudhary, J. Magn. Magn. Mater., 547, 168837 (2022). DOI: 10.1016/j.jmmm.2021.168837
  5. J. Han, Y. Feng, K. Yao, G.Y. Gao, Appl. Phys. Lett., 111, 132402 (2017). DOI: 10.1063/1.4999288
  6. H. Fu, Y. Li, L. Ma, C. You, Q. Zhang, N. Tian, J. Magn. Magn. Mater., 473, 16 (2019). DOI: 10.1016/j.jmmm.2018.10.040
  7. X. Tan, J. You, P. Liu, Y. Wang, Crystals, 9, 678 (2019). DOI: 10.3390/cryst9120678
  8. S. Kokado, M. Tsunoda, K. Haragaya, A. Sakuma, J. Phys. Soc. Jpn., 81, 024705 (2012). DOI: 10.1143/JPSJ.81.024705
  9. T. Tanaka, Y.C. Huang, T. Kubota, S. Kolado, R.Y. Umetsu, J. Appl. Phys., 138, 053902 (2025). DOI: 10.1063/5.0273431
  10. M. Oogane, A.P. McFadden, K. Fukuda, M. Tsunoda, Y. Ando, C.J. Palmstrom, Appl. Phys. Lett., 112, 262407 (2018). DOI: 10.1063/1.5030341
  11. A.S. Prikhodko, N.I. Borgardt, Micron, 203, 104002 (2026). DOI: 10.1016/j.micron.2026.104002
  12. A. Roy, P. Sampathkumar, P.S.A. Kumar, Measurement, 156, 107590 (2020). DOI: 10.1016/j.measurement.2020.107590
  13. И.В. Верюжский, А.С. Приходько, Ф.А. Усков, Ю.Е. Григорашвили, Н.И. Боргардт, Письма в ЖТФ, 50 (22), 61 (2024). DOI: 10.61011/PJTF.2024.22.59139.20019 [I.V. Veryuzhskii, A.S. Prikhodko, F.A. Uskov, Yu.E. Grigorashvili, N.I. Borgardt, Tech. Phys. Lett., 50 (11), 112 (2024). DOI: 10.61011/TPL.2024.11.59681.20019]
  14. H.X. Liu, T. Kawami, K. Moges, T. Uemura, M. Yamamoto, F. Shi, P. Voyles, J. Phys. D, 48, 164001 (2015). DOI: 10.1088/0022-3727/48/16/164001
  15. И.В. Верюжский, А.С. Приходько, Ф.А. Усков, Ю.Е. Григорашвили, Н.И. Боргардт, Изв. вузов. Электроника, 30 (5), 543 (2025). DOI: 10.24151/1561-5405-2025-30-5-543-551
  16. T.R. McGuire, R.I. Potte, IEEE Trans. Magn., 11 (4), 1018 (1975). DOI: 10.1109/TMAG.1975.1058782
  17. Б.А. Аронзон, А.Б. Грановский, А.Б. Давыдов, М.Е. Докукин,Ю.Е. Калинин, С.Н. Николаев, В.В. Рыльков, А.В. Ситников, В.В. Тугушев, ЖЭТФ, 130 (1), 127 (2006). [B.A. Aronzon, A.B. Granovskii, A.B. Davydov, M.E. Dokukin, Yu.E. Kalinin, S.N. Nikolaev, V.V. Rylkov, A.V. Sitnikov, V.V. Tugushev, JETP, 103 (1), 110 (2006). DOI: 10.1134/S1063776106070120].
  18. F.J. Yang, C. Wei, X.Q. Chen, Appl. Phys. Lett., 102, 172403 (2013). DOI: 10.1063/1.4803537
  19. H.R. Fu, Y. You, F.Q. Xin, L. Ma, N. Tian, Appl. Phys. Lett., 112, 262406 (2018). DOI: 10.1063/1.5029340
  20. V.K. Kushwaha, J. Rani, A. Tulapurkar, C.V. Tomy, Appl. Phys. Lett., 111, 152407 (2017). DOI: 10.1063/1.4996639

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme