Вышедшие номера
Изменение уровня поверхности германия с формированием тонкого пористого слоя при облучении ионами висмута
Степанов А.Л.1, Рогов А.М.1, Сотникова В.Ф.1, Валеев В.Ф.1, Нуждин В.И.1, Коновалов Д.А.1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, ФИЦ Казанский научный центр РАН, Казань, Россия
Email: aanstep@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 октября 2025 г.
В окончательной редакции: 10 ноября 2025 г.
Принята к печати: 10 ноября 2025 г.
Выставление онлайн: 13 января 2026 г.

Проведен анализ характера изменения уровня поверхности монокристаллической подложки c-Ge, облучаемой ионами 209Bi++ c энергией E=36 keV, при образовании тонких поверхностных слоев нанопористого Ge с ростом ионной дозы. Значения дозы варьировались от 2.0· 1014 до 4.0· 1016 ion/cm2. Наблюдение морфологии поверхности образцов выполнено методами высокоразрешающей сканирующей электронной и зондовой микроскопии. Установлено, что при малых дозах до 1.0· 1015 ion/cm2 происходит ионное распыление поверхности образца и образуется слой, состоящий из открытых поверхностных пор в виде ямок. С ростом дозы распыление сменяется распуханием поверхности с формированием нанопористой губчатой нитевидной структуры. Ключевые слова: нанопористый германий, ионное облучение, распыление, вспучивание.
  1. A. Tolstoguzov, A.E. Ieshkin, I.N. Kutlusurin, P. Mazarov, Results Surf. Interfaces, 19, 100491 (2025). DOI: 10.1016/j.rsurfi.2025.100491
  2. H. Zhang, M. Ma, Y. Liu, W. Zhang, C. Zhang, Manuf. Mater. Process, 9, 158 (2025). DOI: 10.3390/jmmp9050158
  3. A. Patro, C. Sekhar Rout, S. Dhal, S. Chatterjee, Nanotechnology, 36, 212001 (2025). DOI: 10.1088/1361-6528/adce12
  4. Y. Kudriavtsev, R. Asomoza, A. Hernandez, D.Y. Kazantsev, B.Y. Ber, A.N. Gorokhov, J. Vac. Sci. Technol. A, 38, 53203 (2020). DOI: 10.1116/6.0000262
  5. S. An, H. Park, M. Kim, J. Mater. Chem. C, 11, 2430 (2023). DOI: 10.1039/d2tc05041b
  6. А.Л. Степанов, В.И. Нуждин, А.М. Рогов, В.В. Воробьев, Формирование слоев пористого кремния и германия с металлическими наночастиами (ФИЦПРЕСС, Казань, 2019)
  7. A. Hernandez, Y. Kudriavtsev, C. Salinas-Fuentes, C. Hernandez-Gutierrez, R. Asomoza, Vacuum, 171, 108976 (2020). DOI: 10.1016/j.vacuum.2019.108976
  8. S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, V.S. Craig, G. Li, Appl. Phys. Lett., 77, 1455 (2000). DOI: 10.1063/1.1290722
  9. S.S.S. Nikor, M.S.I. Sumon, S. Sankar, L. Ma, V.J. Patel, S.D. Hawkins, S.J. Addamane, S. Arafin, Appl. Phys. Express, 17, 122005 (2024). DOI: 10.35848/1882-0786/ad9377
  10. A.L. Stepanov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, V.V. Vorobev, A.M. Rogov, Vacuum, 159, 353 (2019). DOI: 10.1016/j.vacuum.2018.10.60
  11. R. Bottger, K.-H. Heining, L. Bischoff, B. Liedke, S. Facsko, Appl. Phys. A, 113, 53 (2013). DOI: 10.1007/s00339-013-7911-0
  12. N. Cassidy, P. Blenkinsopp, I. Brown, R.J. Curry, B.N. Murdin, R. Webb, D. Cox, Phys. Status Solidi A, 218, 2000237 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202000237
  13. A.L. Stepanov, S.M. Khantimerov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, A.M. Rogov, Vacuum, 194, 110552 (2021). DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110552
  14. A.L. Stepanov, V.A. Zhikharev, D.E. Hole, P.D. Townsend, I.B. Khaibullin, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 166, 26 (2000). DOI: 10.1016/S0168-583X(99)00641-2
  15. L. Romano, G. Impellizzeri, L. Bosco, F. Ruffino, M. Miritello, M.G. Grimaldi, J. Appl. Phys., 111, 113515 (2012). DOI: 10.1063/1.4725427
  16. H.S. Alkhaldi, T.T. Tran, F. Kremer, J.S. Williams, J. Appl. Phys., 120, 215706 (2016). DOI: 10.1063/1.4969051
  17. N.G. Rudawski, K.S. Jones, J. Mater. Res., 28, 1633 (2013). DOI: 10.1557/jmr.2013.24
  18. B. Stritzker, R.G. Elliman, J. Zou, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 175-177, 193 (2001). DOI: 10.1016/S0168-583X(00)00597-8
  19. A.L. Stepanov, B.F. Farrakhov, Y.V. Fattakhov, A.M. Rogov, D.A. Konovalov, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, Vacuum, 186, 110060 (2021). DOI: 10.1016/j.vacuum.2021.110060

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.