Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 3 » Статья стр. 49
<<<
AlGaAs-субэлементы для гибридных А3В5//Si солнечных элементов
Минтаиров С.А.1, Емельянов В.М.1, Калюжный Н.А.1, Нахимович М.В.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2025 г.
В окончательной редакции: 7 октября 2025 г.
Принята к печати: 7 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2025 г.
PDF версия
Определены диффузионные длины неосновных носителей заряда в слоях AlxGa1-xAs (AlGaAs) с концентрацией алюминия x от 0 до 0.2 посредством аппроксимации спектров квантового выхода фотоответа однопереходных солнечных элементов c фотоактивными слоями из AlGaAs. Проведены расчеты спектров внешнего квантового выхода фотоответа для субэлементов GaInP, AlGaAs и Si гибридных GaInP/AlGaAs//Si солнечных элементов космического назначения. Показано, что GaInP/AlGaAs//Si солнечные элементы обеспечивают КПД на уровне 33.5 % (1 sun, AM0) при полном собирании носителей из базового слоя AlGaAs-субэлемента и концентрации алюминия x=0.1, 33 % (1 sun, AM0) при использовании градиентного состава в базовом слое и средней концентрации алюминия x=0.08 и 32.8 % (1 sun, AM0) при использовании постоянной концентрации алюминия x=0.08. Ключевые слова: гибридные солнечные элементы, субэлемент, газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений, КПД, квантовая эффективность, математическое моделирование.
  1. L. Greco, UCS Satellite Database [Электронный ресурс]. https://www.ucsusa.org/resources/satellite-database
  2. R. Verduci, V. Romano, G. Brunetti, N.Y. Nia, A. Di Carlo, G. D'Angelo, C. Ciminell, Adv. Energy Mater., 12, 2200125 (2022). DOI: 10.1002/aenm.202200125
  3. M. Kaltenbrunner, G. Adam, E.D. G owacki, M. Drack, R. Schwodiauer, L. Leonat, D.H. Apaydin, H. Groiss, M.C. Scharber, M.S. White, N.S. Sariciftci, S. Bauer, Nat. Mater., 14, 1032 (2015). DOI: 10.1038/nmat4388
  4. F. Lang, M. Jovst, K. Frohna, E. Kohnen, A. Al-Ashouri, A.R. Bowman, T. Bertram, A.B. Morales-Vilches, D. Koushik, E.M. Tennyson, K. Galkowski, G. Landi, M. Creatore, B. Stannowski, C.A. Kaufmann, J. Bundesmann, J. Rappich, B. Rech, A. Denker, S. Albrecht, H.C. Neitzert, N.H. Nickel, S.D. Stranks, Joule, 4, 1054 (2020). DOI: 10.1016/j.joule.2020.03.006
  5. D. Cardwell, A. Kirk, C. Stender, A. Wibowo, F. Tuminello, M. Drees, R. Chan, M. Osowski, N. Pan, in 2017 IEEE 44th Photovoltaic Specialists Conf. (PVSC) (IEEE, 2017), p. 3511. DOI: 10.1109/PVSC.2017.8366552
  6. J. Li, A. Aierken, Y. Liu, Y. Zhuang, X. Yang, J.H. Mo, R.K. Fan, Q.Y. Chen, S.Y. Zhang, Y.M. Huang, Q. Zhang, Front. Phys., 8, 631925 (2021). DOI: 10.3389/fphy.2020.631925
  7. P. Schygulla, R. Muller, D. Lackner, O. Hohn, H. Hauser, B. Blasi, F. Predan, J. Benick, M. Hermle, S. Glunz, F. Dimroth, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 30, 869 (2022). DOI: 0.1002/pip.3503
  8. P. Schygulla, R. Muller, O. Hohn, M. Schachtner, D. Chojniak, A. Cordaro, S. Tabernig, B. Blasi, A. Polman, G. Siefer, D. Lackner, F. Dimroth, Prog. Photovolt.: Res. Appl., 33 (1), 100 (2025). DOI: 10.1002/pip.3769
  9. С.А. Минтаиров, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, М.В. Нахимович, В.В. Олейник, Р.А. Салий, А.Ф. Скачков, Л.Н. Скачкова, М.З. Шварц, Письма в ЖТФ, 51 (13), 40 (2025). DOI: 10.61011/PJTF.2025.13.60703.20295 [S.A. Mintairov, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, M.V. Nakhimovich, V.V. Oleynik, R.A. Salii, A.F. Skachkov, L.N. Skachkova, M.Z. Shvarts, Tech. Phys. Lett., 51 (7), 37 (2025). DOI: 10.61011/TPL.2025.07.61428.20295]
  10. C.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов, ФТП, 44 (8), 1118 (2010). [S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov, Semiconductors, 44 (8), 1084 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610080233].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme