Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2026, выпуск 3 » Статья стр. 41
<<<>>>
Влияние увеличения радиуса гетероструктуры на профиль гетероперехода IIIVxV1-x нитевидных нанокристаллов
исследовательский грант СПбГУ, No. 129360164
Лещенко Е.Д.1, Дубровский В.Г.2
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: leshchenko.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 сентября 2025 г.
В окончательной редакции: 3 октября 2025 г.
Принята к печати: 3 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 23 декабря 2025 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование процесса формирования осевой гетероструктуры в нитевидных нанокристаллах IIIVxV1-x и рассчитаны профили состава. Рассмотрен случай, когда радиус нитевидного нанокристалла меняется во время роста. Показано, что для тонких наноструктур при увеличении радиуса резкость гетероперехода меняется незначительно. Эффект становится заметным при высокой скорости радиального роста или для наноструктур, имеющих большой радиус. Показано, что увеличение радиуса наноструктуры во время роста приводит к формированию более резкого гетероперехода, что особенно ярко проявляется у наноструктур с большим радиусом. Ключевые слова: моделирование, нитевидные нанокристаллы, гетероструктуры III-V-V, профиль гетероперехода.
  1. K. Hiruma, H. Murakoshi, M. Yazawa, T. Katsuyama, J. Cryst. Growth, 163, 226 (1996). DOI: 10.1016/0022-0248(95)00714-8
  2. H.A. Nilsson, P. Caroff, E. Lind, M.-E. Pistol, C. Thelander, L.-E. Wernersson, J. Appl. Phys., 110, 064510 (2011). DOI: 10.1063/1.3633742
  3. M. Spies, E. Monroy, Semicond. Sci. Technol., 34, 053002 (2019). DOI: 10.1088/1361-6641/ab0cb8
  4. R. Ha, S.-W. Kim, H.-J. Choi, Nanoscale Res. Lett., 8, 299 (2013). DOI: 10.1186/1556-276X-8-299
  5. D. Ren, L. Ahtapodov, J.S. Nilsen, J. Yang, A. Gustafsson, J. Huh, G.J. Conibeer, A.T.J. van Helvoort, B.O. Fimland, H. Weman, Nano Lett., 18, 2304 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b05015
  6. D. Alcer, M. Tirrito, L. Hrachowina, M.T. Borgstrom, ACS Appl. Nano Mater., 7, 2352 (2024). DOI: 10.1021/acsanm.3c05909
  7. K.A. Dick, J. Bolinsson, B.M. Borg, J. Johansson, Nano Lett., 12, 3200 (2012). DOI: 10.1021/nl301185x
  8. V. Zannier, D. Ercolani, U.P. Gomes, J. David, M. Gemmi, V.G. Dubrovskii, L. Sorba, Nano Lett., 16, 7183 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03524
  9. G. Priante, G. Patriarche, F. Oehler, F. Glas, J.-C. Harmand, Nano Lett., 15, 6036 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02224
  10. D. Scarpellini, C. Somaschini, A. Fedorov, S. Bietti, C. Frigeri, V. Grillo, L. Esposito, M. Salvalaglio, A. Marzegalli, F. Montalenti, E. Bonera, P.G. Medaglia, S. Sanguinetti, Nano Lett., 15, 3677 (2015). DOI: 10.1021/nl504690r
  11. M. Marnauza, R. Sjokvist, A. Kraina, D. Jacobsson, K.A. Dick, ACS Nanosci. Au, 5, 208 (2025). DOI: 10.1021/acsnanoscienceau.5c00015
  12. E.D. Leshchenko, N.V. Sibirev, Nanomaterials, 14, 1816 (2024). DOI: 10.3390/nano14221816
  13. G. Priante, F. Glas, G. Patriarche, K. Pantzas, F. Oehler, J.-C. Harmand, Nano Lett., 16, 1917 (2016). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b05121
  14. V.G. Dubrovskii, A.A. Koryakin, N.V. Sibirev, Mater. Des., 132, 400 (2017). DOI: 10.1016/j.matdes.2017.07.012
  15. E.D. Leshchenko, V.G. Dubrovskii, Nanotechnology, 34, 065602 (2023). DOI: 10.1088/1361-6528/aca1c9
  16. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, Cryst. Growth Des., 16, 2019 (2016). DOI: 10.1021/acs.cgd.5b01613
  17. V.G. Dubrovskii, Nanomaterials, 14, 821 (2024). DOI: 10.3390/nano14100821
  18. S.G. Ghalamestani, M. Ek, M. Ghasemi, P. Caroff, J. Johansson, K.A. Dick, Nanoscale, 6, 1086 (2014). DOI: 10.1039/c3nr05079c
  19. L. Li, L. Pan, Y. Xue, X. Wang, M. Lin, D. Su, Q. Zhang, X. Yu, H. So, D. Wei, B. Sun, P. Tan, A. Pan, J. Zhao, Nano Lett., 17, 622 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b03326
  20. M. Borg, K.A. Dick, J. Eymery, L.-E. Wernersson, Appl. Phys. Lett., 98, 113104 (2011). DOI: 10.1063/1.3566980
  21. S.G. Ghalamestani, M. Ek, M. Ghasemi, B. Ganjipour, C. Thelander, J. Johansson, P. Caroff, K.A. Dick, Nano Lett., 12, 4914 (2012). DOI: 10.1021/nl302497r
  22. V. Zannier, F. Rossi, V.G. Dubrovskii, D. Ercolani, S. Battiato, L. Sorba, Nano Lett., 18, 167 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03742
  23. R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
  24. P. Caroff, M.E. Messing, M. Borg, K.A. Dick, K. Deppert, L.E. Wernersson, Nanotechnology, 20, 495606 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/49/495606
  25. F. Jabeen, S. Rubini, F. Martelli, Microelectronics J., 40, 442 (2009). DOI: 10.1016/j.mejo.2008.06.001
  26. P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M.H. Madsen, J. Nygard, H. Shtrikman, Nano Lett., 10, 4475 (2010). DOI: 10.1021/nl102308k
  27. F. Glas, M.R. Ramdani, G. Patriarche, J.-C. Harmand, Phys. Rev. B, 88, 195304 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.195304
  28. V.G. Dubrovskii, T. Xu, A. Diaz Alvarez, S.R. Plissard, P. Caroff, F. Glas, B. Grandidier, Nano Lett., 15, 5580 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02226

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme