Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs
Российский научный фонд, 25-29-00420
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия 
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Email: y.alex@runbox.com
Поступила в редакцию: 19 мая 2025 г.
В окончательной редакции: 15 июля 2025 г.
Принята к печати: 5 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2025 г.
Приводятся экспериментальные результаты исследования жидкостного химического травления слоя GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при пониженной температуре, по маске, сформированной методом электронно-лучевой литографии. Разработаны основы технологии травления мезаструктуры, обеспечивающие качественный результат жидкостного химического травления элементов с точно заданными размерами в строго определенной области с минимальными отклонениями. Основы технологии включают в себя обязательную предобработку поверхности полупроводника перед нанесением резиста для улучшения адгезии и обработку в кислородной плазме после его проявления. С использованием разработанных основ технологии изготовлен экспериментальный образец оптоэлектронного источника терагерцевых импульсов со сложной топологией элементов мезаструктуры. Ключевые слова: оптоэлектронный источник, терагерцевое излучение, жидкостное химическое травление, мезаструктура, полупроводники, электронно-лучевая литография.
- M. Koch, D. Mittleman, J. Ornik, E. Castro-Camus, Nat. Rev. Meth. Prim., 3, 48 (2023). DOI: 10.1038/s43586-023-00232-z
- Д.С. Пономарев, А.Э. Ячменев, Д.В. Лаврухин, Р.А. Хабибуллин, Н.В. Черномырдин, И.Е. Спектор, В.Н. Курлов, В.В. Кведер, К.И. Зайцев, УФН, 194, 2 (2024). DOI: 10.3367/UFNr.2023.07.039503 [D.S. Ponomarev, A.E. Yachmenev, D.V. Lavrukhin, R.A. Khabibullin, N.V. Chernomyrdin, I.E. Spektor, V.N. Kurlov, V.V. Kveder, K.I. Zaytsev, Phys. Usp., 67, 3 (2024). DOI: 10.3367/UFNe.2023.07.039503].
- A.E. Yachmenev, D.V. Lavrukhin, I.А. Glinskiy, N.V. Zenchenko, Yu.G. Goncharov, I.E. Spektor, R.A. Khabibullin, T. Otsuji, D.S. Ponomarev, Opt. Eng., 59 (6), 061608 (2019). DOI: 10.1117/1.OE.59.6.061608
- A. Singh, J. Li, A. Pashkin, R. Rana, S. Winnerl, M. Helm, H. Schneider, Opt. Express, 29 (13), 19920 (2021). DOI: 10.1364/OE.427247
- R. Henri, K. Nallappan, D.S. Ponomarev, H. Guerboukha, D.V. Lavrukhin, A.E. Yachmenev, R.A. Khabibullin, M. Skorobogatiy, IEEE Access, 9, 117691 (2021). DOI: 10.1109/ACCESS.2021.3106227
- N.T. Yardimci, S.-H. Yang, C.W. Berry, M. Jarrahi, IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol., 5, 223 (2015). DOI: 10.1109/TTHZ.2015.2395417
- G.S. Oehrlein, D. Metzler, C. Li, ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (6), N5041 (2015). DOI: 10.1149/2.0061506jss
- V. Cambel, D. Greguvsova, R. Kudela, J. Appl. Phys., 94 (7), 4643 (2003). DOI: 10.1063/1.1602570
- A.C.F. Hoole, M.E. Welland, A.N. Broers, Semicond. Sci. Technol., 12 (9), 1166 (1997). DOI: 10.1088/0268-1242/12/9/017
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
