Приводятся экспериментальные результаты исследования жидкостного химического травления слоя GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при пониженной температуре, по маске, сформированной методом электронно-лучевой литографии. Разработаны основы технологии травления мезаструктуры, обеспечивающие качественный результат жидкостного химического травления элементов с точно заданными размерами в строго определенной области с минимальными отклонениями. Основы технологии включают в себя обязательную предобработку поверхности полупроводника перед нанесением резиста для улучшения адгезии и обработку в кислородной плазме после его проявления. С использованием разработанных основ технологии изготовлен экспериментальный образец оптоэлектронного источника терагерцевых импульсов со сложной топологией элементов мезаструктуры. Ключевые слова: оптоэлектронный источник, терагерцевое излучение, жидкостное химическое травление, мезаструктура, полупроводники, электронно-лучевая литография.