Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 21 » Статья стр. 34
<<<>>>
Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5-2.8 μm
Пархоменко Я.А. 1, Иванов Э.В. 1, Куницына Е.В. 1, Пивоварова А.А. 1, Нащекин А.В. 1, Андреев И.А.1, Ильинская Н.Д. 1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Parkhomen@mail.ioffe.ru, Ed@mail.ioffe.ru, Kunits@iropt9.ioffe.ru, Pivovarova.antonina@iropto.ioffe.ru, Nashchekin@mail.ioffe.ru, Igor@iropt9.ioffe.ru, Natalya.Ilynskaya@mail.ioffe.ru, Yakovlev@iropto.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2025 г.
В окончательной редакции: 1 августа 2025 г.
Принята к печати: 2 августа 2025 г.
Выставление онлайн: 30 сентября 2025 г.
PDF версия
На основе гетероструктур n-GaSb/n-Ga0.74In0.26As0.22Sb0.78/p-GaSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии с использованием свинца в качестве нейтрального растворителя, впервые созданы светодиоды, излучающие в диапазоне длин волн 2.5-2.8 μm при комнатной температуре. Представлены результаты исследования электрических и электролюминесцентных характеристик указанных светодиодов. Импульсная оптическая мощность в квазинепрерывном режиме при токе инжекции 200 mA составляла 7.4 μW. Разработанные светодиоды могут использоваться для детектирования углекислого газа и паров воды в атмосфере. Ключевые слова: светодиоды, электролюминесценция, гетероструктуры GaSb/GaInAsSb, жидкофазная эпитаксия, свинцовые растворы-расплавы.
  1. Г.Г. Ишанин, Э.Д. Панков, А.Л. Андреев, Г.В. Польщиков, Источники и приемники излучения (Политехника, СПб., 1991), с. 48--52
  2. И.И. Новикова, А.В. Сорокина, М.А. Лобкис, Н.А. Зубцовская, М.В. Семенихина, В.А. Щевелева, Н.И. Назимкин, Рос. вестн. гигиены, N 4, 18 (2023). DOI: 10.24075/rbh.2023.081
  3. J.G. Growder, S.D. Smith, A. Vass, J. Keddie, in Mid-infrared Semiconductor Optoelectronics, ed. by A. Krier. Springer Ser. in Optical Sciences (Springer-Verlag, London, 2006), p. 595-597
  4. В.В. Романов, И.А. Белых, Э.В. Иванов, П.А. Алексеев, Н.Д. Ильинская, Ю.П. Яковлев, ФТП, 53 (6), 832 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47738.9051 [V.V. Romanov, I.A. Belykh, E.V. Ivanov, P.A. Alekseev, N.D. Il'inskaya, Yu.P. Yakovlev, Semiconductors, 53 (6), 822 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619060174]
  5. http://www.ibsg.ru
  6. M.M. Kugeiko, A.A. Baravik, J. Phys.: Conf. Ser., 2127, 012042 (2021). DOI: 10.1088/1742-6596/2127/1/012042
  7. В.М. Дейчули, Т.М. Петрова, А.А. Солодов, А.М. Солодов, Оптика атмосферы и океана, 35 (8), 608 (2022). DOI: 10.15372/AOO20220802 [V.M. Deichuli, T.M. Petrova, A.A. Solodov, A.M. Solodov, Atmos. Ocean. Оpt., 35 (6), 634 (2022). DOI: 10.1134/S1024856022060070]
  8. E. Ducreux, B. Grouiez, S. Robert, M. Lepere, B. Vispoel, R.R. Gamache, L. Regalia, J. Quant. Spectrosc. Radiat. Transfer, 323, 109026 (2024). DOI: 10.1016/j.jqsrt.2024.109026
  9. А.П. Астахова, Е.А. Гребенщикова, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Е.В. Куницына, Я.А. Пархоменко, Ю.П. Яковлев, ФТП, 38 (12), 1466 (2004). [A.P. Astakhova, E.A. Grebenshchikova, E.V. Ivanov, A.N. Imenkov, E.V. Kunitsyna, Ya.A. Parkhomenko, Yu.P. Yakovlev, Semiconductors, 38 (12), 1419 (2004). DOI: 10.1134/1.1836064]
  10. J.C. DeWinter, M.A. Pollack, A.K. Sritastava, J.L. Zyskind, J. Electron. Mater., 14 (6), 729 (1985). DOI: 10.1007/BF02654308
  11. А.Е. Жуков, Основы физики и технологии полупроводниковых лазеров (Изд-во Академ. ун-та, СПб., 2016), т. 4, с. 27--32
  12. В.В. Романов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, К.Д. Моисеев, Н.Д. Стоянов, Ю.П. Яковлев, Письма в ЖТФ, 27 (14), 80 (2001). [V.V. Romanov, E.V. Ivanov, A.N. Imenkov, N.M. Kolchanova, K.D. Moiseev, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev, Tech. Phys. Lett., 27 (7), 611 (2001). DOI: 10.1134/1.1388961]

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme