Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2025, выпуск 16 » Статья стр. 42
<<<
Эпитаксия AlN(1122)-слоев на GaN(1122)/m-Al2О3-темплейте методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Кремлева A.В.2, Сокура Л.А.1,2, Шарофидинов Ш.Ш.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: lena@triat.mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 2 июня 2025 г.
Принята к печати: 5 июня 2025 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2025 г.
PDF версия
Эпитаксиальные слои AlN(1122) толщиной 3.9 μm были выращены на темплейте GaN(1122)/m-Al2O3 методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Темплейт состоял из GaN(1122)- и буферного AlN-слоев с толщинами 2.7 и 0.6 μm соответственно, выращенных на сапфировой подложке ориентации (1010). Показано, что полуширина рентгеновской кривой качания для дифракционных пиков GaN(1122)/m-Al2O3 и AlN(1122) составляет 30 и 20 arcmin соответственно. Обнаружено, что эпитаксия AlN(1122) на темплейте приводит к увеличению размера кристаллических блоков в слое AlN(1122). Сделано предположение, что улучшение качества слоя AlN(1122) происходит из-за относительно невысокого различия решеток на гетерогранице AlN(1122)/GaN(1122). Ключевые слова: полуполярный AlN(1122), хлорид-гидридная газофазная эпитаксия.
  1. A. Khan, K. Balakrishnan, T. Katona, Nat. Photon., 2, 77 (2008). DOI: 10.1038/nphoton.2007.293
  2. R. Boichot, D. Chen, F. Mercier, F. Baillet, G. Giusti, T. Coughlan, M. Chubarov, M. Pons, Coatings, 7, 136 (2017). DOI: 10.3390/coatings7090136
  3. Y. Iba, K. Shojiki, K. Uesugi, S. Xiao, H. Miyake, J. Cryst. Growth, 532, 125397 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2019.125397
  4. Y. Yusuf, M. Samsudin, M.M. Sahar, Z. Hassan, W. Maryam, N. Zainal, Thin Solid Films, 736, 138915 (2021). DOI: 10.1016/j.tsf.2021.138915
  5. J.-J. Wu, Y. Katagiri, K. Okuura, D.-B. Li, H. Miyake, K. Hiramatsu, Phys. Status Solidi C, 6, S478 (2009). DOI: 10.1002/pssc.200880767
  6. M. Monavarian, A. Rashidi, D. Feezell, Phys. Status Solidi A, 216, 1800628 (2019). DOI: 10.1002/pssa.201800628 
  7. A. Mogilatenko, H. Kirmse, J. Stellmach, M. Frentrup, F. Mehnke, T. Wernicke, M. Kneissl, M. Weyers, J. Cryst. Growth, 400, 54 (2014). DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2014.04.014
  8. M. Jo, Y. Itokazu, S. Kuwaba, H. Hirayama, J. Cryst. Growth, 507, 307 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.009
  9. M. Jo, Y. Itokazu, S. Kuwaba, H. Hirayama, Jpn. J. Appl. Phys., 53, SC1031 (2019). DOI: 10.7567/1347-4065/ab0f1c
  10. L. Lahourcade, Plasma-assisted molecular beam epitaxy of (1122)-oriented III-nitrides, theses of PhD (Institut National Polytechnique de Grenoble, 2009)
  11. X. Luo, X. Zhang, B. Chen, Y. Shen, Y. Tian, A. Fan, Sh. Chen, Y. Qian, Zh. Zhuang, G. Hu, Mater. Sci. Semicond. Proc., 144, 106612 (2022). DOI: 10.1016/j.mssp.2022.106612

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme