Вышедшие номера
Метастабильные состояния электронной подсистемы гетероструктур GaAs/AlxGa1-xAs с квантовыми ямами, применяемых для создания детекторов дальнего инфракрасного диапазона
Колосов С.А.1, Кривобок В.С.1, Пашкеев Д.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: krivobok@lebedev.ru
Поступила в редакцию: 28 августа 2024 г.
В окончательной редакции: 6 октября 2024 г.
Принята к печати: 10 октября 2024 г.
Выставление онлайн: 13 февраля 2025 г.

Обнаружена метастабильная перестройка транспортных свойств и фотоотклика в дальнем ИК-диапазоне для гетероструктуры GaAs/AlxGa1-xAs с легированными кремнием квантовыми ямами при их кратковременном освещении излучением ближнего ИК-диапазона. Показано, что данный эффект связан с кремниевыми DX-центрами, формирующимися в окрестности интерфейсов GaAs/AlxGa1-xAs. Ключевые слова: ИК-детектор, квантовая яма, DX-центр, молекулярно-лучевая эпитаксия.