Мощный субнаносекундный модуль на основе p-i-n AlGaAs/GaAs-фотодиодов
Андреев В.М., Калиновский В.С., Калюжный Н.А., Контрош Е.В., Малевская А.В., Минтаиров С.А., Шварц М.З.
Email: vmandreev@mail.ioffe.ru, Nickk@mail.ioffe.ru, amalevskaya@mail.ioffe.ru, shvarts@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 28 мая 2024 г.
Принята к печати: 2 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2024 г.
Приведены результаты разработки и исследования фотоприемного модуля на основе p-i-n AlGaAs/GaAs-фотодиодов при преобразовании лазерного излучения в фотовольтаическом (без обратного смещения) и фотодиодном (при обратном смещении до 120 V) режимах работы. Фотодиоды, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии, в фотовольтаическом режиме при возбуждении лазерным излучением на длине волны 810 nm с плотностью мощности ~ 500 W/cm2 обеспечивали КПД ~54%. Максимальная выходная импульсная электрическая мощность фотоприемного модуля при возбуждении импульсным лазерным излучением с пиковой мощностью ~ 13 W и длительностью ~ 1.0 ns составила 2.5 W в фотовольтаическом режиме и 8.0 W в фотодиодном режиме при обратном смещении 120 V. Ключевые слова: p-i-n-фотоприемный модуль, лазерное излучение, p-i-n AlGaAs/GaAs-фотодиоды, фотовольтаический режим, фотодиодный режим, МОС-гидридная эпитаксия, пиковая плотность мощности, длительность на полувысоте амплитуды.
- D. Wake, A. Nkansah, N.J. Gomes, C. Leithien, C. Sion, J.-P. Vilcot, J. Lightwave Technol., 26 (15), 2484 (2008). DOI: 10.1109/JLT.2008.927171
- H. Yang, C.L.L.M. Daunt, F. Gity, K.-H. Lee, W. Han, B. Corbett, F.H. Peters, IEEE Photon. Technol. Lett., 22 (23), 1747 (2010). DOI: 10.1109/LPT.2010.2085041
- A.S. Cross, Q. Zhou, A. Beling, Y. Fu, J.C. Campbell, Opt. Express, 21 (8), 9967 (2013). DOI: 10.1364/OE.21.009967
- E. Rouvalis, F.N. Baynes, X. Xie, K. Li, Q. Zhou, F. Quinlan, T.M. Fortier, S.A. Diddams, A.G. Steffan, A. Beling, J.C. Campbell, J. Lightwave Technol., 32 (20), 3810 (2014)
- V.J. Urick, in Conf. on lasers and electro-optics, OSA Technical Digest (online) (Optica Publ. Group, 2018), paper SM1C.6. DOI: 10.1364/CLEO_SI.2018.SM1C.6
- Д.Ф. Зайцев, В.М. Андреев, И.А. Биленко, А.А. Березовский, П.Ю. Владиславский, Ю.Б. Гурфинкель, Л.И. Цветкова, В.С. Калиновский, Н.М. Кондратьев, В.Н. Косолобов, В.Ф. Курочкин, С.О. Слипченко, Н.В. Смирнов, Б.В. Яковлев, Радиотехника, 85 (4), 153 (2021). DOI: 10.18127/j00338486-202104-17
- D.C. Scott, T.A. Vang, J.E. Leigth, D.V. Forbes, K. Everett, F. Alvarez, R. Johnson, J. Brock, L. Lembo, Proc. SPIE, 4112, 75 (2000). DOI: 10.1117/12.399379
- B. Li, S. Tang, N. Jiang, Z. Shi, R.T. Chen, Proc. SPIE, 3952, 114 (2000). DOI: 10.1117/12.384390
- В.С. Калиновский, Е.И. Теруков, Ю.В. Ащеулов, Е.В. Контрош, В.С. Юферев, К.К. Прудченко, А.В. Чекалин, Е.Е. Терукова, И.А. Толкачев, С.Е. Гончаров, В.М. Устинов, Письма в ЖТФ, 49 (2), 21 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54281.19306 [V.S. Kalinovskii, E.I. Terukov, Yu.V. Ascheulov, E.V. Kontrosh, V.S. Yuferev, K.K. Prudchenko, A.V. Chekalin, E.E. Terukova, I.A. Tolkachev, S.E. Goncharov, V.M. Ustinov, Tech. Phys. Lett., 49 (1), 62 (2023). DOI: 10.21883/TPL.2023.01.55352.19306]
- E. Oliva, E. Dimroth, A.W. Bett, Progr. Photovol.: Res. Appl., 16 (4), 289 (2008). DOI: 10.1002/pip.811
- А.Н. Паньчак, П.В. Покровский, Д.А. Малевский, В.Р. Ларионов, М.З. Шварц, Письма в ЖТФ, 45 (2), 26 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.02.47218.17491 [A.N. Panchak, P.V. Pokrovskiy, D.A. Malevskiy, V.R. Larionov, M.Z. Shvarts, Tech. Phys. Lett., 45 (1), 24 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019010310]
- N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Malevskaya, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev, Solar Energy Mater. Solar Cells, 262, 112551 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
- H. Helmers, E. Lopez, O. Hohn, D. Lackner, J. Schon, M. Schauerte, M. Schachtner, F. Dimroth, A.W. Bett, Phys. Status Solidi RRL, 15 (7), 2100113 (2021). DOI: 10.1002/pssr.202100113
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук