Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 20 » Статья стр. 33
<<<>>>
Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, FWGW-2022-0005
Бакаров А.К. 1, Суханов М.А.1, Ярошевич А.С. 1, Лошкарев И.Д. 1, Журавлев К.С. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: bakarov@isp.nsc.ru, msukhanov@isp.nsc.ru, jarosh@isp.nsc.ru, idl@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 27 июня 2024 г.
Принята к печати: 28 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 8 октября 2024 г.
PDF версия
Представлены результаты выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток InAs/GaSb второго рода на подложках GaSb для фотоприемников средневолнового и длинноволнового инфракрасного диапазона. Определены условия роста буферного слоя GaSb и сверхрешеток со связями In-Sb на гетерограницах. Показано, что небольшое содержание мышьяка в буферном слое незначительно влияет на структурное совершенство сверхрешеток, большее влияние оказывает толщина буферного слоя. Выбранные условия роста сверхрешеток позволили получать высокую повторяемость периодов. Измеренные толщины слоев сверхрешеток близки к толщинам, задаваемым при их росте. Формирование гетерограниц со связями In-Sb обеспечило хорошие оптические параметры сверхрешеток. Высокая воспроизводимость сверхрешеток дала возможность управляемо смещать длинноволновый край оптического поглощения от 5.6 до 9 μm, изменяя толщины слоев InAs и GaSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, короткопериодные напряженные сверхрешетки InAs/GaSb второго рода, инфракрасные фотоприемники.
  1. A. Rogalski, P. Martyniuk, M. Kopytko, Appl. Phys. Rev., 4 (3), 31304 (2017). DOI: 10.1063/1.4999077
  2. D. Ramos, M. Delmas, L. Hoglund, R. Ivanov, L. vZurauskaite, D. Evans, D. Rihtnesberg, L. Bendrot, S. Smuk, A. Smuk, S. Becanovic, S. Almqvist, P. Tinghag, S. Fattala, E. Costard, P.E. Hellstrom, Appl. Phys. Lett., 123 (18), 181102 (2023). DOI: 10.1063/5.0176652
  3. D. Kwan, M. Kesaria, E.A. Anyebe, D. Huffaker, Infrared Phys. Technol., 116, 103756 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103756
  4. D.O. Alshahrani, M. Kesaria, E.A. Anyebe, V. Srivastava, D.L. Huffaker, Adv. Photon. Res., 3 (2), 2100094 (2021). DOI: 10.1002/adpr.202100094
  5. M. Walther, R. Rehm, J. Schmitz, J. Niemasz, F. Rutz, A. Worl, L. Kirste, R. Scheibner, J. Wendler, J. Ziegler, Proc. SPIE, 7945, 79451N (2011). DOI: 10.1117/12.875159
  6. Y. Livneh, P.C. Klipstein, O. Klin, N. Snapi, S. Grossman, A. Glozman, E. Weiss, Phys. Rev. B, 86 (23), 235311 (2012). DOI: 10.1103/physrevb.86.235311
  7. Y. Zhang, W. Ma, Y. Cao, J. Huang, Y. Wei, K. Cui, J. Shao, IEEE J. Quantum Electron., 47 (12), 1475 (2011). DOI: 10.1109/jqe.2011.2168947
  8. A. Jasik, J. Kubacka-Traczyk, K. Reginski, I. Sankowska, R. Jakie a, A. Wawro, J. Kaniewski, J. Appl. Phys., 110 (7), 73509 (2011). DOI: 10.1063/1.3642995
  9. A. Jasik, I. Sankowska, K. Reginski, E. Machowska-Podsiad o, A. Wawro, M. Wzorek, R. Kruszka, R. Jakie a, J. Kubacka-Traczyk, M. Motyka, J. Kaniewski, in: Crystal growth: theory, mechanisms and morphology, ed. by J.P. Isaac, N.A. Manusco (Nova Science Publ., Inc., 2012), ch. 9, p. 293--327
  10. B.J. Spencer, P.W. Voorhees, J. Tersoff, Phys. Rev. B, 64 (23), 235318 (2001). DOI: 10.1103/physrevb.64.235318
  11. D.C. Look, J.H. Leach, J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (4), 04J105 (2016). DOI: 10.1116/1.4954211
  12. G. Ariyawansa, E. Steenbergen, L.J. Bissell, J.M. Duran, J.E. Scheihing, M.T. Eismann, Proc. SPIE, 9070, 90701J (2014). DOI: 10.1117/12.2057506
  13. P.-F. Qiao, S. Mou, S.L. Chuang, Opt. Express, 20 (3), 2319 (2012). DOI: 10.1364/oe.20.002319
  14. H. Katayama, T. Takekawa, M. Kimata, H. Inada, Y. Iguchi, Infrared Phys. Technol., 70, 53 (2015). DOI: 10.1016/j.infrared.2014.10.014

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme