Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Использование микроскопии сопротивления растекания для определения параметров барьерного слоя в nBn-структурах на основе InSb
Российский научный фонд, 19-79-30086
Савин К.А.
1, Клековкин А.В.
1, Минаев И.И.
1, Ерошенко Г.Н.
1, Кривобок В.С.
1,2, Свиридов Д.Е.
1, Гончаров А.Е.
2, Николаев С.Н.
1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия 
2АО "НПО "Орион", Москва, Россия
2АО "НПО "Орион", Москва, Россия
Email: savinkonstantin93@gmail.com, klekovkinav@lebedev.ru, i.minaev@lebedev.ru, er-grig@mail.ru, krivobokvs@lebedev.ru, sviridovde@lebedev.ru, ag93.orion@gmail.com, nikolaev-s@yandex.ru
Поступила в редакцию: 8 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 8 мая 2024 г.
Принята к печати: 7 июня 2024 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2024 г.
Продемонстрирован новый подход, позволяющий визуализировать электронную подсистему барьерно-диодных структур InSb/InAlSb, оценивать однородность слоя InAlSb, блокирующего основные носители в таких структурах, и определять высоту соответствующего потенциального барьера. Подход основан на измерении кремниевым зондом с алмазным покрытием сопротивления растекания на свежеприготовленном сколе (110) эпитаксиальной гетероструктуры. Ключевые слова: микроскопия сопротивления растекания, молекулярно-пучковая эпитаксия, ИК-фотодетектор, InSb, барьерно-диодные гетероструктуры.
- H. Heidarzaden, Phys. Status Solidi B, 260 (3), 2200358 (2022). DOI: 10.1002/pssb.202200358
- М.А. Суханов, А.К. Бакаров, Д.Ю. Протасов, К.С. Журавлев, Письма в ЖТФ, 46 (4), 3 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.04.49040.18055 [M.A. Sukhanov, A.K. Bakarov, D.Yu. Protasov, K.S. Zhuravlev, Tech. Phys. Lett., 46, 154 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020020285]
- F.M. Klaassen, J. Blok, F.J. De Hoog, Physica, 27 (2), 185 (1961). DOI: 10.1016/0031-8914(61)90041-6
- S. Maimon, G.W. Wicks, Appl. Phys. Lett., 89 (15), 151109 (2006). DOI: 10.1063/1.2360235
- A. Evirgen, J. Abautret, J.P. Perez, A. Cordat, A. Nedelcu, P. Christol, Electron. Lett., 50 (20), 1472 (2014). DOI: 10.1049/el.2014.2799
- R. Xiao, H. Yan, Y. Pei, B. Li, K. Yang, J. Liu, X. Liu, J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 30 (14), 13290 (2019). DOI: 10.1007/s10854-019-01692-4
- H. Liu, Y. Zhang, E.H. Steenbergen, S. Liu, Z. Lin, Y.-H. Zhang, J. Kim, M.-H. Ji, T. Detchprohm, R.D. Dupuis, J.K. Kim, S.D. Hawkins, J.F. Klem, Phys. Rev. Appl., 8 (3), 034028 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.8.034028
- J. Singh, Semiconductor devices: basic principles (John Wiley \& Sons, 2000)
- Y. Sun, S.E. Thompson, T. Nishida, J. Appl. Phys., 101 (10), 104503 (2007). DOI: 10.1063/1.2730561
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
