Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 7 » Статья стр. 43
<<<
Об успешном опыте гомоэпитаксии слоев β-Ga2O3 на собственных подложках
Министерство науки и высшего образования РФ , Федеральная научно-техническая программа развития синхротронных и нейтронных исследований и исследовательской инфраструктуры на 2019-2027 годы от 29.09.21 № 2021-951-ФП5-3, 075-15-2021-1349
Бауман Д.А.1, Панов Д.Ю.1, Спиридонов В.А.1, Иванов А.Ю.1, Сахаров А.В.2, Родин С.Н.2, Прасолов Н.Д.2, Романов А.Е.1,2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 21 декабря 2023 г.
Принята к печати: 21 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 6 марта 2024 г.
PDF версия
Предложен способ изготовления подложек из объемных кристаллов оксида галлия β-Ga2O3 методом скалывания. На примере выращивания на изготовленных подложках слоев β-Ga2O3 и β-(AlxGa1-x)2O3 методом эпитаксии из металлоорганических соединений показана возможность их использования для гомоэпитаксии. Проведен анализ морфологии поверхности и структурного качества полученных слоев. Ключевые слова: оксид галлия, подложки, металлоорганическая газофазная эпитаксия, гомоэпитаксия.
  1. J.A. Spencer, A.L. Mock, A.G. Jacobs, M. Schubert, Y. Zhang, M.J. Tadjer, Appl. Phys. Rev., 9, 011315 (2022). DOI: 10.1063/5.0078037
  2. S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Rev. Adv. Mater. Sci., 44 (1), 64 (2016). https://www.ipme.ru/e-journals/RAMS/no_14416/06_14416_stepanov.pdf
  3. A. Bhattacharyya, C. Peterson, T. Itoh, S. Roy, J. Cooke, S. Rebollo, P. Ranga, B. Sensale-Rodriguez, S. Krishnamoorthy, APL Mater., 11 (2), 021110 (2023). DOI: 10.1063/5.0137666
  4. D.A. Bauman, A.I. Borodkin, A.A. Petrenko, D.Yu. Panov, A.V. Kremleva, V.A. Spiridonov, D.A. Zakgeim, M.V. Silnikov, M.A. Odnoblyudov, A.E. Romanov, V.E. Bougrov, Acta Astron., 180, 125 (2021). DOI: 10.1016/j.actaastro.2020.12.010
  5. А.В. Мясоедов, И.С. Павлов, А.И. Печников, С.И. Степанов, В.И. Николаев, Письма в ЖТФ, 49 (2), 26 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54282.19365 [A.V. Myasoedov, I.S. Pavlov, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, Tech. Phys. Lett., 49 (1), 67 (2023). DOI 10.21883/TPL.2023.01.55353.19365]
  6. В.И. Николаев, А.Я. Поляков, С.И. Степанов, А.И. Печников, В.В. Николаев, Е.Б. Якимов, М.П. Щеглов, А.В. Чикиряка, Л.И. Гузилова, Р.Б. Тимашов, С.В. Шапенков, П.Н. Бутенко, ЖТФ, 93 (3), 403 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.03.54853.231-22 [V.I. Nikolaev, A.Ya. Polyakov, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, V.V. Nikolaev, E.B. Yakimov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, L.I. Guzilova, R.B. Timashov, S.V. Shapenkov, P.N. Butenko, Tech. Phys., 68 (3), 376 (2023). DOI: 10.21883/TP.2023.03.55813.231-22]
  7. A.Y. Polyakov, V.I. Nikolaev, S.A. Tarelkin, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.E. Nikolaev, I.V. Shchemerov, E.B. Yakimov, N.V. Luparev, M.S. Kuznetsov, A.A. Vasilev, A.I. Kochkova, M.I. Voronova, M.P. Scheglov, J. Kim, S.J. Pearton, J. Appl. Phys., 129 (18), 185701 (2021). DOI: 10.1063/5.0044531
  8. Д.А. Закгейм, Д.Ю. Панов, В.А. Спиридонов, А.В. Кремлева, А.М. Смирнов, Д.А. Бауман, А.Е. Романов, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, Письма в ЖТФ, 46 (22), 43 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499 [D.A. Zakgeim, D.I. Panov, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.M. Smirnov, D.A. Bauman, A.E. Romanov, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, Tech. Phys. Lett., 46 (11), 1144 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020110292]
  9. D.A. Bauman, D.I. Panov, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.V. Asach, E.V. Tambulatov, A.V. Sakharov, A.E. Romanov, J. Vac. Sci. Technol. A, 41 (5), 053203 (2023). DOI: 10.1116/6.0002644
  10. D.A. Bauman, D.I. Panov, D.A. Zakgeim, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.A. Petrenko, P.N. Brunkov, N.D. Prasolov, A.V. Nashchekin, A.M. Smirnov, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov, Phys. Status Solidi A, 218 (20), 2100335 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202100335
  11. R. Schewski, M. Baldini, K. Irmscher, A. Fiedler, T. Markurt, B. Neuschulz, T. Remmele, T. Schulz, G. Wagner, Z. Galazka, M. Albrecht, J. Appl. Phys., 120 (22), 225308 (2016). DOI: 10.1063/1.4971957
  12. H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q.T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, A. Koukitu, Appl. Phys. Express, 8 (1), 015503 (2015). DOI: 10.7567/APEX.8.015503
  13. В.В. Лундин, С.Н. Родин, А.В. Сахаров, А.Ф. Цацульников, А.В. Лобанова, М.В. Богданов, Р.А. Талалаев, H. Sun, S. Long, Письма в ЖТФ, 48 (4), 44 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52085.19081 [V.V. Lundin, S.N. Rodin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, A.V. Lobanova, M.V. Bogdanov, R.A. Talalaev, H. Sun, S. Long, Tech. Phys. Lett., 48 (2), 80 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.02.53585.19081].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme