Вышедшие номера
Нагрев квантового каскадного лазера при импульсной накачке: теория и эксперимент
РНФ, 23-29-0093
Врубель И.И.1, Черотченко Е.Д.1, Михайлов Д.А.1, Новиков И.И.2, Папылев Д.С.2, Чистяков Д.В.1, Дерягин Н.Г.1, Мыльников В.Ю.1, Абдулразак С.Х.1, Дюделев В.В.1, Соколовский Г.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: echerotchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 13 декабря 2023 г.
Принята к печати: 13 декабря 2023 г.
Выставление онлайн: 6 марта 2024 г.

Рассмотрены особенности температурного режима работы активной области квантового каскадного лазера при импульсной токовой накачке. Показано, что при уменьшении крутизны переднего фронта импульса накачки значение порогового тока сдвигается в сторону больших значений на десятки миллиампер, что связано с интенсивным нагревом активной области квантового каскадного лазера в первые моменты времени после начала накачки. Для описания эксперимента предложена модель, основанная на термодиффузионном приближении. Исследование временной зависимости интенсивности излучения лазера показывает, что в интервале сотен наносекунд после начала импульса накачки активируется передача мощности в основной теплоотвод системы, при этом его эффективность достигает 50-75% от полной потребляемой мощности, что значительно снижает скорость нагрева активной области. Ключевые слова: интегральная оптика, квантово-каскадный лазер.
  1. Р.Ф. Казаринов, Р.А. Сурис, ФТП, 5 (4), 797 (1971). [R. Kazarinov, R. Suris, Sov. Phys. Semicond., 5 (4), 707 (1971).]
  2. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho, Science, 264 (5158), 553 (1994). DOI: 10.1126/science.264.5158.553
  3. P.I. Abramov, E.V. Kuznetsov, L.A. Skvortsov, M.I. Skvortsova, J. Appl. Spectrosc., 86 (1), 1 (2019). DOI: 10.1007/s10812-019-00775-8
  4. R.J. Grasso, Proc. SPIE, 9933, 99330F (2016). DOI: 10.1117/12.2238963
  5. B. Panda, A. Pal, S. Chakraborty, M. Pradhan, Infrared Phys. Technol., 125, 104261 (2022). DOI: 10.1016/j.infrared.2022.104261
  6. X. Pang, O. Ozolins, L. Zhang, R. Schatz, A. Udalcovs, X. Yu, G. Jacobsen, S. Popov, J. Chen, S. Lourdudoss, Phys. Status Solidi A, 218 (3), 2000407 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202000407
  7. A. Evans, S.R. Darvish, S. Slivken, J. Nguyen, Y. Bai, M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 91 (7), 071101 (2007). DOI: 10.1063/1.2770768
  8. F. Wang, S. Slivken, D.H. Wu, M. Razeghi, Opt. Express, 28 (12), 17532 (2020). DOI: 10.1364/OE.394916
  9. E. Cherotchenko, V. Dudelev, D. Mikhailov, G. Savchenko, D. Chistyakov, S. Losev, A. Babichev, A. Gladyshev, I. Novikov, A. Lutetskiy, D. Veselov, S. Slipchenko, D. Denisov, A. Andreev, I. Yarotskaya, K. Podgaetskiy, M. Ladugin, A. Marmalyuk, N. Pikhtin, L. Karachinsky, V. Kuchinskii, A. Egorov, G. Sokolovskii, Nanomaterials, 12 (22), 3971 (2022). DOI: 10.3390/nano12223971
  10. А.В. Бабичев, В.В. Дюделев, А.Г. Гладышев, Д.А. Михайлов, А.С. Курочкин, Е.С. Колодезный, В.Е. Бугров, В.Н. Неведомский, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, Д.В. Денисов, А.С. Ионов, С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.С. Соколовский, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 45 (14), 48 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.14.48025.17824 [A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 45 (7), 735 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019070174]
  11. А.В. Бабичев, А.Г. Гладышев, А.В. Филимонов, В.Н. Неведомский, А.С. Курочкин, Е.С. Колодезный, Г.С. Соколовский, В.Е. Бугров, Л.Я. Карачинский, И.И. Новиков, A. Bousseksou, А.Ю. Егоров, Письма в ЖТФ, 43 (14), 64 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.14.44833.16776 [A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.V. Filimonov, V.N. Nevedomskii, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov, Tech. Phys. Lett., 43 (7), 666 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017070173]
  12. В.В. Дюделев, Д.А. Михайлов, А.В. Бабичев, А.Д. Андреев, С.Н. Лосев, Е.А. Когновицкая, Ю.К. Бобрецова, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, А.Г. Гладышев, Д.В. Денисов, И.И. Новиков, Л.Я. Карачинский, В.И. Кучинский, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, Квантовая электроника, 50 (2), 141 (2020). [V.V. Dudelev, D.A. Mikhailov, A.V. Babichev, A.D. Andreev, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, Yu.K. Bobretsova, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.G. Gladyshev, D.V. Denisov, I.I. Novikov, L.Ya. Karachinsky, V.I. Kuchinskii, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Quantum Electron., 50 (2), 141 (2020). DOI: 10.1070/QEL17168]
  13. В.В. Дюделев, Е.Д. Черотченко, И.И. Врубель, Д.А. Михайлов, Д.В. Чистяков, В.Ю. Мыльников, С.Н. Лосев, Е.А. Когновицкая, А.В. Бабичев, А.В. Лютецкий, С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, А.В. Абрамов, А.Г. Гладышев, К.А. Подгаецкий, А.Ю. Андреев, И.В. Яроцкая, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, И.И. Новиков, В.И. Кучинский, Л.Я. Карачинский, А.Ю. Егоров, Г.С. Соколовский, УФН, 194 (1), 98 (2024). DOI: 10.3367/UFNr.2023.05.039543 [V.V. Dudelev, E.D. Cherotchenko, I.I. Vrubel, D.A. Mikhailov, D.V. Chistyakov, V.Yu. Mylnikov, S.N. Losev, E.A. Kognovitskaya, A.V. Babichev, A.V. Lutetskiy, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, A.V. Abramov, A.G. Gladyshev, K.A. Podgaetskiy, A.Yu. Andreev, I.V. Yarotskaya, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, I.I. Novikov, V.I. Kuchinskii, L.Ya. Karachinsky, A.Yu. Egorov, G.S. Sokolovskii, Phys. Usp., 67 (1) (2024). DOI: 10.3367/UFNe.2023.05.039543]
  14. S. Adachi, Physical properties of III-V semiconductor (John Wiley \& Sons, 1992)
  15. H.Y. Lee, J.S. Yu, Appl. Phys. B, 106 (3), 619 (2012). DOI: 10.1007/s00340-011-4744-4.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.