Вышедшие номера
Формирование фазы Nb3Sn путем обработки системы Nb+Sn импульсным электронным пучком
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 21-12-00364
Юрьев Ю.Н.1, Юрьева А.В.1, Савельев А.И.1, Воробьев М.С.2, Москвин П.В.2
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Email: yurjev@tpu.ru
Поступила в редакцию: 27 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 9 ноября 2023 г.
Принята к печати: 9 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 13 января 2024 г.

Исследована возможность обработки пленок Nb-Sn, осажденных на медную подложку методом магнетронного распыления, импульсным электронным пучком в источнике с плазменным катодом. Электронно-пучковая обработка покрытий приводит к формированию фазы Nb3Sn. Пленки облучались с разной плотностью энергии пучка и длительностью импульса. Исследованы морфология поверхности и фазовый состав облученных пленок. Ключевые слова: магнетронное распыление, пленки Nb3Sn, электронный пучок, плазменный катод, электронно-пучковая обработка.
  1. M.N. Sayeed, U. Pudasaini, G.V. Eremeev, H.E. Elsayed-Ali, Vacuum, 212, 112019 (2023). DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112019
  2. M.S. Shakel, M.N. Sayeed, G.V. Eremeev, A.-M. Valente-Feliciano, U. Pudasaini, H.E. Elsayed-Ali, Vacuum, 217, 112563 (2023). DOI: 10.1016/j.vacuum.2023.112563
  3. N. Schafer, N. Karabas, J.P. Palakkal, S. Petzold, M. Major, N. Pietralla, L. Alff, J. Appl. Phys., 128 (13), 133902 (2020). DOI: 10.1063/5.0015376
  4. C. Dong, Z. Lin, P. Sha, B. Liu, L. Ye, X. He, Physica C, 600, 1354107 (2022). DOI: 10.1016/j.physc.2022.1354107
  5. M. Lu, F. Pan, H. Guo, S. Huang, Z. Yang, Q. Chu, F. Liu, A. Wu, T. Tan, Mater. Lett., 292, 129557 (2021). DOI: 10.1016/j.matlet.2021.129557
  6. M.N. Sayeed, U. Pudasaini, C.E. Reece, G.V. Eremeev, H.E. Elsayed-Ali, J. Alloys Compd., 800, 272 (2019). DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.06.017
  7. M.N. Sayeed, U. Pudasaini, C.E. Reece, G.V. Eremeev, H.E. Elsayed-Ali, Appl. Surf. Sci., 541, 148528 (2021). DOI: 10.1016/j.apsusc.2020.148528
  8. Ю.Н. Юрьев, Ю.С. Бордулев, А.Е. Харисова, Т.В. Селезнева, А.И. Савельев, А.И. Казимиров, Изв. вузов. Физика, 65 (11), 191 (2022). DOI: 10.17223/00213411/65/11/191 [Yu.N. Yurjev, Yu.S. Bordulev, A.E. Kharisova, T.V. Selezneva, A.I. Savelev, A.I. Kazimirov, Russ. Phys. J., 65 (11), 1996 (2023). DOI: 10.1007/s11182-023-02861-z]
  9. E.A. Ilyina, G. Rosaz, J.B. Descarrega, W. Vollenberg, A.J.G. Lunt, F. Leaux, S. Calatroni, W. Venturini-Delsolaro, M. Taborelli, Supercond. Sci. Technol., 32 (3), 035002 (2019). DOI: 10.1088/1361-6668/aaf61f
  10. L. Xiao, X. Lu, Z. Yang, W. Tan, Y. Yang, L. Zhu, D. Xie, Physica C, 586, 1353894 (2021). DOI: 10.1016/j.physc.2021.1353894
  11. М.С. Воробьёв, П.В. Москвин, В.И. Шин, Н.Н. Коваль, К.Т. Ашурова, С.Ю. Дорошкевич, В.Н. Девятков, М.С. Торба, В.А. Леванисов, Письма в ЖТФ, 47 (10), 38 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.10.50972.18719 [M.S. Vorobyov, P.V. Moskvin, V.I. Shin, N.N. Koval, K.T. Ashurova, S.Yu. Doroshkevich, V.N. Devyatkov, M.S. Torba, V.A. Levanisov, Tech. Phys. Lett., 47, 528 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021050291]
  12. M. Vorobyov, T. Koval, V. Shin, P. Moskvin, M.K.A. Tran, N. Koval, K. Ashurova, S. Doroshkevich, M. Torba, IEEE Trans. Plasma Sci., 49 (9), 2550 (2021). DOI: 10.1109/TPS.2021.3089001
  13. V.N. Devyatkov, Y.F. Ivanov, O.V. Krysina, N.N. Koval, E.A. Petrikova, V.V. Shugurov, Vacuum, 143, 464 (2017). DOI: 10.1016/j.vacuum.2017.04.016
  14. A.B. Markov, A.V. Mikov, G.E. Ozur, A.G. Padei, Instrum. Exp. Tech., 54 (6), 862 (2011). DOI: 10.1134/s0020441211050149
  15. V.N. Devyatkov, N.N. Koval, P.M. Schanin, V.P. Grigoryev, T.V. Koval, Laser Particle Beams, 21 (2), 243 (2003). DOI: 10.1017/S026303460321212X

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.