Вышедшие номера
Резонансные характеристики сверхвысокочастотных фотонных кристаллов с включениями в виде проводящих нанослоев
Фонд содействия инновациям, УМНИК, 17308ГУ/2022
Министерства образования и науки РФ, программа стратегического академического лидерства ” Приоритет 2030“, 075-15-2023-164
Скрипаль А.В. 1, Пономарев Д.В. 1, Шаронов В.Е. 1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: skripala_v@info.sgu.ru, 769545.1998@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2023 г.
В окончательной редакции: 24 июля 2023 г.
Принята к печати: 4 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 18 сентября 2023 г.

Описаны теоретически и исследованы экспериментально резонансные характеристики одномерных фотонных кристаллов с нарушением периодичности, связанные с эффектом резонансного туннелирования микроволнового излучения через проводящий нанослой на частотах, меньших частоты плазменного резонанса. Эффект прозрачности на частоте дефектной моды достигается вследствие минимального уровня взаимодействия электромагнитного излучения с проводящим нанослоем при его размещении в узле напряженности электрического поля стоячей электромагнитной волны внутри нарушения фотонного кристалла. Ключевые слова: фотонный кристалл, нанослой, резонансное туннелирование. DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56269.19645
  1. Д.А. Усанов, В.П. Мещанов, А.В. Скрипаль, Н.Ф. Попова, Д.В. Пономарев, М.К. Мерданов, ЖТФ, 87 (2), 216 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2017.02.44128.1794 [D.A. Usanov, V.P. Meshchanov, A.V. Skripal', N.F. Popova, D.V. Ponomarev, M.K. Merdanov, Tech. Phys., 62 (2), 243 (2017). DOI: 10.1134/S106378421702027X]
  2. R. Asmatulu, P.K. Bollavaram, V.R. Patlolla, I.M. Alarifi, W.S. Khan, Adv. Compos. Hybrid Mater., 3 (1), 66 (2020). DOI: 10.1007/s42114-020-00135-7
  3. Y. Khan, A. Thielens, S. Muin, J. Ting, C. Baumbauer, A.C. Arias, Adv. Mater., 32 (15), 1905279 (2020). DOI: 10.1002/adma.201905279
  4. H. Fan, S. Kaixuan, Z. Dace, L. Rui, Z. Yulu, D. Jianxiong, M. Ling, B. Shaowei, J. Jianjun, IEEE Trans. Electromagn. Compat., 63 (4), 1290 (2021). DOI: 10.1109/TEMC.2021.3050184
  5. J. Zheng, H. Zheng, Y. Pang, B. Qu, Z. Xu, Opt. Express, 31 (3), 3731 (2023). DOI: 10.1364/OE.482992
  6. А.В. Богацкая, Н.В. Кленов, П.М. Никифорова, А.М. Попов, А.Е. Щеголев, Оптика и спектроскопия, 130 (4), 481 (2022). DOI: 10.21883/OS.2022.04.52259.48-21 [A.V. Bogatskaya, N.V. Klenov, P.M. Nikiforova, A.M. Popov, A.E. Schegolev, Opt. Spectrosc., 130 (4), 379 (2022). DOI: 10.21883/EOS.2022.04.53722.48-2]
  7. А.Б. Шварцбург, УФН, 179 (1), 43 (2007). DOI: 10.3367/UFNr.0177.200701b.0043 [A.B. Shvartsburg, Phys. Usp., 50 (1), 37 (2007). DOI: 10.1070/PU2007v050n01ABEH006148]
  8. C.H. Liu, N.J. Behdad, Appl. Phys, 113 (6), 064909 (2013). DOI: 10.1063/1.4790584
  9. B. Wang, F. Righetti, M.A. Cappelli, Phys. Plasmas, 25 (3), 031902 (2018). DOI: 10.1063/1.5018422
  10. A.V. Skripal, D.V. Ponomarev, A.A. Komarov, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 68 (12), 5115 (2020). DOI: 10.1109/TMTT.2020.3021412
  11. D.A. Usanov, S.A. Nikitov, A.V. Skripal, D.V. Ponomarev, One-dimensional microwave photonic crystals: new applications (CRC Press, Boca Raton--London--N.Y., 2019). DOI: 10.1201/9780429276231
  12. Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, А.В. Абрамов, А.С. Боголюбов, ЖТФ, 76 (5), 112 (2006). DOI: 10.1134/S1063784206050173 [D.A. Usanov, A.V. Skripal, A.V. Abramov, A.S. Bogolyubov, Tech. Phys., 51 (5), 644 (2006). DOI: 10.1134/S1063784206050173]
  13. S. Fan, M.F. Yanik, Z. Wang, S. Sandhu, M.L. Povinelli, J. Light. Technol., 24 (12), 4493 (2006). DOI: 10.1109/JLT.2006.886061
  14. Ал.А. Никитин, Ан.А. Никитин, А.Б. Устинов, E. Lahderanta, Б.А. Калиникос, ЖТФ, 86 (6), 115 (2016). [Al.A. Nikitin, An.A. Nikitin, A.B. Ustinov, E. Lahderanta, B.A. Kalinikos, Tech. Phys., 61 (6), 913 (2016). DOI: 10.1134/S106378421606013X].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.