Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 2 » Статья стр. 26
<<<>>>
Дефектная структура пленки α-Ga2O3, выращенной на m-грани подложки сапфира, по данным просвечивающей электронной микроскопии
DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54282.19365
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.01.55353.19365
РФФИ , 19-29-12041мк
Мясоедов А.В.1, Павлов И.С.2, Печников А.И.1,3, Степанов С.И.1,3, Николаев В.И.1,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: amyasoedov88@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 9 ноября 2022 г.
Принята к печати: 14 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 25 декабря 2022 г.
PDF версия
Приводятся результаты исследования методом просвечивающей электронной микроскопии структурного состояния пленки α-Ga2O3 толщиной ~ 1 μm, выращенной на призматической m-грани сапфира методом хлоридной газофазной эпитаксии. Обсуждается влияние ориентации подложки на формирование дислокационной структуры. Выявлены проникающие дислокации, в том числе с вектором Бюргерса 1/3< 1120 >, и дислокационные полупетли. Наклонное распространение дислокаций и образование дислокационных полупетель приводят к снижению плотности проникающих дислокаций вблизи ростовой поверхности. Ключевые слова: дислокации, оксид галлия, просвечивающая электронная микроскопия.
  1. Y. Yuan, W. Hao, W. Mu, Z. Wang, X. Chen, Q. Liu, G. Xu, C. Wang, H. Zhou, Y. Zou, X. Zhao, Z. Jia, J. Ye, J. Zhang, S. Long, X. Tao, R. Zhang, Y. Hao, Fundam. Res., 1 (6), 697 (2021). DOI: 10.1016/j.fmre.2021.11.002
  2. Y. Tomm, P. Reiche, D. Klimm, T. Fukuda, J. Cryst. Growth, 220 (4), 510 (2000). DOI: 10.1016/S0022-0248(00)00851-4
  3. T. Oshima, T. Nakazono, A. Mukai, A. Ohtomo, J. Cryst. Growth, 359 (1), 60 (2012). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.08.025
  4. А.И. Печников, С.И. Степанов, А.В. Чикиряка, М.П. Щеглов, М.А. Одноблюдов, В.И. Николаев, ФТП, 53 (6), 789 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47730.9033 [A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, M.P. Scheglov, M.A. Odnobludov, V.I. Nikolaev, Semiconductors, 53 (6), 780 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619060150]
  5. T.C. Ma, X.H. Chen, Y. Kuang, L. Li, J. Li, F. Kremer, F.-F. Ren, S.L. Gu, R. Zhang, Y.D. Zheng, H.H. Tan, C. Jagadish, J.D. Ye, Appl. Phys. Lett., 115 (18), 182101 (2019). DOI: 10.1063/1.5120554
  6. Y. Oshima, S. Yagyu, T. Shinohe, J. Cryst. Growth, 576, 126387 (2021). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2021.126387
  7. K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, S. Fujita, Appl. Phys., 51 (2R), 020201 (2012). DOI: 10.1143/JJAP.51.020201
  8. Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita, APL Mater., 7 (2), 022503 (2019). DOI: 10.1063/1.5051058
  9. В.И. Николаев, А.И. Печников, Л.И. Гузилова, А.В. Чикиряка, М.П. Щеглов, В.В. Николаев, С.И. Степанов, А.А. Васильев, И.В. Щемеров, А.Я. Поляков, Письма в ЖТФ, 46 (5), 27 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.05.49104.18107 [V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka, M.P. Shcheglov, V.V. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.A. Vasil'ev, I.V. Shchemerov, A.Ya. Polyakov, Tech. Phys. Lett., 46 (3), 228 (2020). DOI: 10.1134/S106378502003013X]
  10. R. Jinno, T. Uchida, K. Kaneko, S. Fujita, Appl. Phys. Express, 9 (7), 071101 (2016). DOI: 10.7567/APEX.9.071101
  11. S. Shapenkov, O. Vyvenko, V. Nikolaev, S. Stepanov, A. Pechnikov, M. Scheglov, G. Varygin, Phys. Status Solidi B, 259 (2), 2100331 (2022). DOI: 10.1002/pssb.202100331
  12. Y. Cheng, Y. Xu, Z. Li, J. Zhang, D. Chen, Q. Feng, S. Xu, H. Zhou, J. Zhang, Y. Hao, C. Zhang, J. Alloys Compd., 831, 154776 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.154776
  13. K. Akaiwa, K. Ota, T. Sekiyama, T. Abe, T. Shinohe, K. Ichino, Phys. Status Solidi A, 217 (3), 1900632 (2020). DOI: 10.1002/pssa.201900632
  14. Y. Oshima, E.G. Vi llora, K. Shimamura, Appl. Phys. Express, 8 (5), 055501 (2015). DOI: 10.7567/APEX.8.055501
  15. J.D. Snow, A.H. Heuer, J. Am. Ceram. Soc., 56 (3), 153 (1973). DOI: 10.1111/j.1151-2916.1973.tb15432.x
  16. П. Хирш, А. Хови, Д. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан, Электронная микроскопия тонких кристаллов, под. ред. Л.М. Утевского (Мир, М., 1968), с. 181--198. [P.B. Hirsch, A. Howie, R.B. Nicholson, D.W. Pashley, M.J. Whelan, Electron microscopy of thin crystals (Butterworths, London, 1965).].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme